[发明专利]阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板；

吸光层，所述吸光层设置于所述基板的一侧；

第一金属层，所述第一金属层设置于所述吸光层远离所述基板的一侧，或所述第一金属层设置于所述基板远离所述吸光层的一侧；

第二金属层，所述第二金属层设置于所述第一金属层远离所述基板的一侧，所述第二金属层包括栅极、源极、漏极和绑定部，所述绑定部与所述第一金属层连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述吸光层的材料为2,8-二氟-5,11-双(三乙基硅烷基乙炔基)双噻吩蒽、6,12-二(三乙基硅乙炔基)二苯并苯并二噻吩或2,7-二癸基二苯并二噻吩中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述吸光层的厚度为1微米至3微米。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二金属层为氧化铟锌/钼/铜的三层金属结构或氧化钼/铜的双层金属结构。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第一缓冲层，所述第一缓冲层设置于所述吸光层与所述第一金属层之间且靠近所述第一金属层。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第二缓冲层、半导体层、栅极绝缘层和第一钝化层，所述第二缓冲层覆盖所述第一金属层，所述半导体层设置于所述第二缓冲层远离所述第一金属层的一侧，所述栅极绝缘层覆盖所述半导体层，所述第一钝化层覆盖所述第二金属层，所述源极与所述半导体层和所述第一金属层连接。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一钝化层包括第一开口和第二开口，所述第一开口暴露出所述绑定部，所述第二开口暴露出所述源极。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一开口内设置有保护层，所述保护层覆盖所述绑定部，所述第二开口内设置有发光二极管，所述发光二极管与所述源极连接。

9.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第二钝化层和黑色矩阵，所述第二钝化层设置于所述第一钝化层远离所述源极和所述漏极的一侧，所述黑色矩阵设置于所述第二钝化层远离所述第一钝化层的一侧。

10.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在基板的一侧形成吸光层；

在所述吸光层远离所述基板的一侧形成第一金属层，或在所述基板远离所述吸光层的一侧形成第一金属层；

在所述第一金属层远离所述基板的一侧形成第二金属层，对所述第二金属层图案化以形成栅极、源极、漏极和绑定部，所述绑定部与所述第一金属层连接。