[发明专利]阵列基板及其制备方法

说明书

本申请提供一种阵列基板及其制备方法。阵列基板包括：基板。吸光层，所述吸光层设置于所述基板的一侧。第一金属层，所述第一金属层设置于所述吸光层远离所述基板的一侧，或所述第一金属层设置于所述基板远离所述吸光层的一侧。第二金属层，所述第二金属层设置于所述第一金属层远离所述基板的一侧。所述第二金属层包括栅极、源极、漏极和绑定部。所述绑定部与所述第一金属层连接。本申请提供的阵列基板，具有较高的光稳定性且制备工艺简单。

技术领域

本申请涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法。

背景技术

目前迷你/微发光二极管(Mini/Micro Light Emitting Diode，MLED)显示技术进入加速发展阶段。MLED可以应用于中小型显示器，相较有机发光二极管(Organic LightEmitting Display，OLED)显示器，MLED显示器在成本、对比度、高亮度和轻薄外形上表现出更佳性能。在MLED显示技术中，阵列基板技术作为关键技术控制着MLED的显示，但是目前用于控制LED显示的阵列基板容易受到外界环境光的影响，导致阵列基板的稳定性差。

发明内容

本申请提供一种阵列基板及其制备方法，可以提高阵列基板的稳定性。

一种阵列基板，包括：

基板；

吸光层，所述吸光层设置于所述基板的一侧；

第一金属层，所述第一金属层设置于所述吸光层远离所述基板的一侧，或所述第一金属层设置于所述基板远离所述吸光层的一侧；

第二金属层，所述第二金属层设置于所述第一金属层远离所述基板的一侧，所述第二金属层包括栅极、源极、漏极和绑定部，所述绑定部与所述第一金属层连接。

在本申请的一些实施方式中，所述吸光层的材料为2,8-二氟-5,11-双(三乙基硅烷基乙炔基)双噻吩蒽、6,12-二(三乙基硅乙炔基)二苯并苯并二噻吩或2,7-二癸基二苯并二噻吩中的一种或多种。

在本申请的一些实施方式中，所述吸光层的厚度为1微米至3微米。

在本申请的一些实施方式中，所述第二金属层为氧化铟锌/钼/铜的三层金属结构或氧化钼/铜的双层金属结构。

在本申请的一些实施方式中，所述阵列基板还包括第一缓冲层，所述第一缓冲层设置于所述吸光层与所述第一金属层之间且靠近所述第一金属层。

在本申请的一些实施方式中，所述阵列基板还包括第二缓冲层、半导体层、栅极绝缘层和第一钝化层，所述第二缓冲层覆盖所述第一金属层，所述半导体层设置于所述第二缓冲层远离所述第一金属层的一侧，所述栅极绝缘层覆盖所述半导体层，所述第一钝化层覆盖所述第二金属层，所述源极与所述半导体层和所述第一金属层连接。

在本申请的一些实施方式中，所述第一钝化层包括第一开口和第二开口，所述第一开口暴露出所述绑定部，所述第二开口暴露出所述源极。

在本申请的一些实施方式中，所述阵列基板还包括第二钝化层和黑色矩阵，所述第二钝化层设置于所述第一钝化层远离所述源极和所述漏极的一侧，所述黑色矩阵设置于所述第二钝化层远离所述第一钝化层的一侧。

相应的，本申请还提供一种阵列基板的制备方法，包括：

在基板的一侧形成吸光层；

在所述吸光层远离所述基板的一侧形成第一金属层，或在所述基板远离所述吸光层的一侧形成第一金属层；

在所述第一金属层远离所述基板的一侧形成第二金属层，对所述第二金属层图案化以形成栅极、源极、漏极和绑定部，所述绑定部与所述第一金属层连接。