[发明专利]通过减薄和划切的半导体器件制造

权利要求书

1.一种制造包括填充有填充材料的深沟槽的半导体器件的方法，所述方法包括：

在半导体基板之上形成硬掩模；

图案化所述硬掩模以在所述硬掩模中产生开口；

通过蚀刻穿过所述硬掩模中的所述开口而在所述半导体基板中形成深沟槽；

加宽所述硬掩模中的所述开口；

在所述硬掩模的加宽的开口和所述深沟槽的侧壁之上形成预填充侧壁层；

使所述预填充侧壁层向下凹进到所述半导体基板中的至少第一深度；以及

用填充材料来填充所述深沟槽。

2. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一深度为200 nm或250 nm或300 nm或500nm或1000 nm或2000 nm。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，使所述预填充侧壁层凹进是通过非各向同性蚀刻来执行的。

4. 根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述预填充侧壁层的层厚度等于或大于100 nm或200 nm或250 nm或300 nm或500 nm。

5. 根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述硬掩模中的所述开口被加宽了加宽距离，所述加宽距离等于或大于20 nm或40 nm或60 nm或80 nm或100 nm。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述深沟槽的所述侧壁至少在所述深沟槽的上部区中在宽度方面保持不变。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括：

在形成所述预填充侧壁层之前，在所述硬掩模中的加宽的开口以及所述深沟槽的所述侧壁之上形成绝缘衬层。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括：

通过经由掺杂剂扩散将掺杂剂沉积到所述侧壁中来掺杂所述深沟槽的所述侧壁。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，掺杂所述深沟槽的所述侧壁包括：

在形成所述预填充侧壁层之前，在所述深沟槽中沉积掺杂剂供体；

允许所述掺杂剂供体中的所述掺杂剂向外扩散到所述深沟槽的所述侧壁中；以及

去除所述掺杂剂供体。

10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述预填充侧壁层包括多晶硅或非晶硅。

11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述填充材料包括多晶硅或非晶硅或氮化硅或玻璃。

12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述硬掩模包括氮化硅。

13. 一种半导体器件，包括：

半导体基板；以及

形成在所述半导体基板中的深沟槽，其中，深沟槽被填充有：

预填充侧壁层，其覆盖所述深沟槽的侧壁，以及

填充材料，其至少部分地填充所述预填充侧壁层的相对侧之间的空间，其中，

所述深沟槽的所述侧壁至少在所述深沟槽的上部区中基本上垂直于所述半导体基板的表面，并且

所述预填充侧壁层具有凹进开口，所述凹进开口向下到达所述半导体基板中的至少第一深度。

14. 根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述第一深度是200 nm或250 nm或300nm或500 nm或1000 nm或2000 nm。

15. 根据权利要求13或14所述的半导体器件，其中，所述预填充侧壁层的层厚度等于或大于100 nm或200 nm或250 nm或300 nm或500 nm。