[发明专利]一种超分子组装体及其制备方法和清洗用途

权利要求书

1.一种超分子组装体，所述超分子组装体由环糊精类化合物主体分子与还原性客体分子组成。

2.如权利要求1所述的超分子组装体，其特征在于：所述环糊精类化合物主体分子为β-环糊精、2-羟丙基-β-环糊精或羧甲基-β-环糊精中的任意一种或任意几种，最优选为2-羟丙基-β-环糊精。

3.如权利要求1或2所述的超分子组装体，其特征在于：所述还原性客体分子为肼、苯肼、碳酰肼、1,3-二羟基丙酮、N-异丙基羟胺或肟类化合物中的任意一种，优选所述还原性客体分子为N-异丙基羟胺。

4.如权利要求1-3任一项所述超分子组装体的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：

S1：将所述还原性客体分子溶于水中，充分搅拌至完全溶解，得到还原性客体分子水溶液；将所述环糊精类化合物主体分子溶于水中，搅拌使其充分溶解，然后将其缓慢滴加到高速搅拌的所述还原性客体分子水溶液中，滴加完毕后继续搅拌，得到糊状物；

S2：将所述糊状物抽滤后，用正己烷洗涤，将得到的固体真空干燥，干燥完成后任选进行研细，即得所述超分子组装体。

5.一种包含权利要求1-3任一项所述超分子组装体的蚀刻后半导体晶片残留物清洗液，以质量份计，所述清洗液包括如下组分：

6.如权利要求5所述蚀刻后半导体晶片残留物清洗液的制备方法，所述制备方法具体为：室温搅拌下，向反应器中依次加入上述的超分子组装体、3-吡啶基偕胺肟、酸、有机碱、N,N-二乙基羟胺、多元醇、有机溶剂和水，然后充分搅拌20-60分钟，静置，即得所述清洗液。

7.权利要求1-3任一项所述超分子组装体用于蚀刻后半导体晶片残留物清洗的用途。

8.如权利要求5所述的蚀刻后半导体晶片残留物清洗液用于蚀刻后半导体晶片残留物清洗的用途。

9.一种蚀刻后半导体晶片的清洗方法，所述清洗方法具体如下：使用权利要求5所述的蚀刻后半导体晶片残留物清洗液在65-75℃下浸泡蚀刻后半导体晶片，浸泡时间为20-50分钟，然后用超纯水冲洗至少两次，即完成所述蚀刻后半导体晶片的清洗处理。

10.如权利要求9所述的清洗方法，其特征在于：所述超纯水为电阻至少为18MΩ的去离子水。