[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括用于形成第一型晶体管的第一器件区和用于形成第二型晶体管的第二器件区；

第一鳍部，凸立于所述衬底的顶部，所述第一器件区的第一鳍部顶部低于所述第二器件区的第一鳍部顶部；

第二鳍部，位于所述第一器件区的所述第一鳍部的顶部，所述第二鳍部的顶部与位于所述第二器件区中的所述第一鳍部的顶部相齐平，且所述第二鳍部和第一鳍部的材料不同；

隔离层，位于所述第一鳍部和第二鳍部露出的所述衬底上，所述隔离层覆盖所述第一鳍部和第二鳍部的侧壁；

第一沟道鳍部，位于所述第一器件区的第二鳍部的顶部，且在纵向上与所述第二鳍部间隔设置；

第二沟道鳍部，位于所述第二器件区的第一鳍部的顶部，且在纵向上与所述第一鳍部间隔设置，所述第二沟道鳍部和第一沟道鳍部的材料不同；

栅极结构，位于所述隔离层的顶部且横跨所述第一沟道鳍部和第二沟道鳍部，所述栅极结构包括栅介质层和覆盖所述栅介质层的栅电极层，其中，在所述第一器件区中，所述栅介质层环绕覆盖所述第一沟道鳍部的部分顶部、部分侧壁和部分底部，在所述第二器件区中，所述栅介质层环绕覆盖所述第二沟道鳍部的部分顶部、部分侧壁和部分底部。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离层包括：第一隔离层，位于所述第一器件区和第二器件区的衬底上，所述第一隔离层覆盖所述第一鳍部的侧壁，并露出所述第二鳍部的侧壁；

第二隔离层，位于所述第一器件区的第一隔离层顶部，所述第二隔离层覆盖所述第二鳍部的侧壁，且所述第二隔离层的顶部与位于所述第二器件区中的第一隔离层的顶部齐平。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一沟道鳍部的底面与所述第二沟道鳍部的底面相齐平。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一鳍部的材料包括Si和SiC中的一种或两种；

所述第二鳍部的材料包括SiGe、Ge或Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中的一种或多种；所述第一沟道鳍部的材料包括SiGe、Ge或Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中的一种或多种；所述第二沟道鳍部的材料包括Si和SiC中的一种或两种。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅介质层的材料包括HfO₂、ZrO₂、HfSiO、HfSiON、HfTaO、HfTiO、HfZrO、Al₂O₃、SiO₂和La₂O₃中的一种或多种；

所述栅电极层的材料包括TiN、TaN、Ta、Ti、TiAl、W、AL、TiSiN和TiAlC中的一种或多种。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一型晶体管为PMOS晶体管，所述第二型晶体管为NMOS晶体管。