[发明专利]一种反熔丝单元结构、制备方法及电极结构的制备方法

权利要求书

1.一种反熔丝单元结构，包括上阻挡层（7）和反熔丝膜层（6），所述上阻挡层（7）设置在所述反熔丝膜层（6）上，其特征在于，所述反熔丝膜层（6）设置在二氧化硅介质层（4）上，且位于钨塞柱（5）的上方。

2.根据权利要求1所述的一种反熔丝单元结构，其特征在于，所述反熔丝膜层（6）为SiO2介质层、SiN介质层、非晶介质层或复合层中的一种，其中，所述复合层由SiO2介质层、SiN介质层或非晶介质层中的一种或多种叠加组成，所述SiO2介质层、SiN介质层的厚度为10A~500A，所述非晶介质层的厚度为100A~1500A。

3.根据权利要求2所述的一种反熔丝单元结构，其特征在于，所述复合层的各膜层厚度均匀性小于2%。

4.根据权利要求1至3任一项所述的一种反熔丝单元结构，其特征在于，所述反熔丝膜层（6）的厚度为100A~2000A。

5.根据权利要求1至3任一项所述的一种反熔丝单元结构，其特征在于，所述上阻挡层（7）一般为TiN层或TiW层，所述上阻挡层（7）的膜层厚度为500A~3000A。

6.根据权利要求1至3任一项所述的一种反熔丝单元结构，其特征在于，所述反熔丝膜层（6）与所述上阻挡层（7）组成的叠层剖面角度大于85°。

7.根据权利要求1至3任一项所述的一种反熔丝单元结构，其特征在于，所述反熔丝膜层（6）的位于通孔钨塞柱（5）的顶部，且将通孔全覆盖。

8.一种反熔丝结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

采用CVD或PVD方法在二氧化硅介质层（4）上进行反熔丝膜层（6）淀积；

采用PVD或CVD方法在所述反熔丝膜层（6）上再淀积一层上阻挡层（7）。

9.电极结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、基于标准CMOS工艺，完成前端CMOS器件工艺制造以及反熔丝结构的下极板布线层；

S2、采用CVD工艺淀积SiO2介质；然后通过光刻、腐蚀工艺形成通孔；采用CVD工艺淀积钨，再采用CMP工艺去除通孔以外的钨，只留下通孔中的钨；

S3、采用CVD或者PVD方法淀积反熔丝膜层（6），然后再淀积上阻挡层（7）；

S4、采用光刻和腐蚀工艺，腐蚀上阻挡层（7）和反熔丝膜层（6），在需要加工的通孔上形成反熔丝单元结构，之后去胶和清洗，去除工艺中的缺陷，所述反熔丝膜层（6）与所述上阻挡层（7）组成的叠层剖面角度大于85°，反熔丝单元结构在通孔的正上方，并且将通孔区域全部覆盖，反熔丝单元的尺寸大于通孔尺寸；

S5、采用CVD方法先后淀积SiO2介质；

S6、采用光刻和各向异性腐蚀方法进行反熔丝孔腐蚀，然后去胶清洗；

S7、通过PVD工艺淀积金属，将反熔丝单元结构上极板引出，然后采用光刻和腐蚀工艺，形成上极板布线层。

10.根据权利要求9所述的电极结构的制备方法，其特征在于，所述S2中通孔中钨填充无空洞，钨CMP工艺后钨塞柱（5）与通孔周围形成平滑连续圆润的结构。