[发明专利]MOSFET器件的制备方法

权利要求书

1.一种MOSFET器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供宽带隙外延片，所述宽带隙外延片包括宽带隙衬底和设置于所述宽带隙衬底上的宽带隙漂移层；

在所述宽带隙漂移层上形成第一掩膜层，在所述第一掩膜层上形成第二掩膜层；

去除部分所述第二掩膜层，界定出第一注入窗口，所述第一注入窗口露出所述第一掩膜层；

通过所述第一注入窗口离子注入形成阱区，得到第一器件结构；

在所述第一器件结构上整面形成第三掩膜层，刻蚀部分所述第三掩膜层，保留所述第一注入窗口侧壁的所述第三掩膜层和所述第一注入窗口中间区域的所述第三掩膜层，界定出第二注入窗口，所述第二注入窗口底部露出所述第一掩膜层；

通过所述第二注入窗口离子注入形成重掺杂区，得到第三器件结构；

在所述第三器件结构上整面形成第五掩膜层，去除部分所述第五掩膜层露出所述第三掩膜层；去除所述第二掩膜层，保留所述第一注入窗口侧壁的所述第三掩膜层、所述第二注入窗口内的所述第五掩膜层和所述第二注入窗口中间区域的所述第三掩膜层，界定出第三注入窗口，所述第三注入窗口底部露出所述第一掩膜层；

通过所述第三注入窗口离子注入形成JFET注入区，得到第四器件结构，其中，所述JFET注入区的掺杂类型与所述重掺杂区的掺杂类型相同，与所述阱区的掺杂类型不同。

2.根据权利要求1所述的MOSFET器件的制备方法，其特征在于，在所述通过所述第三注入窗口离子注入形成JFET注入区，得到第四器件结构之后，所述方法还包括：

在所述第四器件结构上整面形成第四掩膜层，去除部分所述第四掩膜层，保留所述第三注入窗口侧壁的所述第四掩膜层和位于所述第二注入窗口内的所述第五掩膜层侧壁的所述第四掩膜层，界定出第四注入窗口，所述第四注入窗口露出所述第一掩膜层；

通过所述第四注入窗口，离子注入形成第一注入区，所述第一注入区与所述JFET注入区掺杂类型不同。

3.根据权利要求2所述的MOSFET器件的制备方法，其特征在于，所述宽带隙外延片的材料为碳化硅；

和/或，所述第一掩膜层的材料为氮化硅；

和/或，所述第二掩膜层的材料为氧化硅；

和/或，所述第三掩膜层的材料为多晶硅；

和/或，所述第四掩膜层的材料为多晶硅；

和/或，所述第五掩膜层的材料为多晶硅。

4.根据权利要求2所述的MOSFET器件的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜层的厚度在30nm至60nm之间；

和/或，所述第二掩膜层的厚度在1μm至2μm之间；

和/或，所述第四掩膜层的厚度在0.1μm至1μm之间；

和/或，所述第五掩膜层的厚度在0.1μm至1μm之间。

5.根据权利要求2所述的MOSFET器件的制备方法，其特征在于，所述阱区为P型离子掺杂，所述重掺杂区为N型离子掺杂，所述JFET注入区为N型离子掺杂，所述第一注入区为P型离子掺杂。

6.根据权利要求1所述的MOSFET器件的制备方法，其特征在于，所述第三掩膜层位于所述第二掩膜层侧壁上的厚度在1000A至1um之间。

7.根据权利要求1所述的MOSFET器件的制备方法，其特征在于，所述第二掩膜层的厚度大于所述第一掩膜层的厚度。