[发明专利]MOSFET器件的制备方法

说明书

一种MOSFET器件的制备方法，涉及半导体技术领域，包括：在宽带隙漂移层上依次形成第一掩膜层和第二掩膜层；去除部分第二掩膜层界定第一注入窗口；通过第一注入窗口注入形成阱区，得到第一器件结构；在第一器件结构上形成第三掩膜层，刻蚀部分第三掩膜层界定第二注入窗口；通过第二注入窗口注入形成重掺杂区，得到第三器件结构；在第三器件结构上形成第五掩膜层，刻蚀部分第五掩膜层露出第三掩膜层，去除第二掩膜层，界定第三注入窗口；通过第三注入窗口注入形成JFET注入区，得到第四器件结构。该方法能提高MOSFET器件的制备稳定性。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种MOSFET器件的制备方法。

背景技术

宽禁带材料具有高饱和迁移率、高击穿场强以及高热导率等优点。宽禁带材料功率器件由于其高击穿电压、高开关频率、低开关损耗以及高工作温度等特点被广泛应用在航空航天、工业电源以及电动汽车等新兴领域中。尤其是，MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件具有导通电阻低、开关速度快、温度可靠性高等优势，已成为是微处理器和半导体存储器等大规模或超大规模集成电路最重要的电力电子器件。

在MOSFET器件制备时，关于JFET区注入一般会采用光罩或全片式JFET注入。其中，采用光罩的方式存在光刻和套准精度的误差，容易注入到沟道区域，稳定性差的问题；采用全片式注入的方式在每次调整JFET区注入参数时需要同时调整其他区注入参数，改动较为复杂。

发明内容

本公开的目的在于提供一种MOSFET器件的制备方法，其能够提高MOSFET器件制备工艺的稳定性，减少光罩的使用，降低成本。

本公开的实施例是这样实现的：

本公开的一方面，提供一种MOSFET器件的制备方法，该方法包括：提供宽带隙外延片，宽带隙外延片包括宽带隙衬底和设置于宽带隙衬底上的宽带隙漂移层；在宽带隙漂移层上形成第一掩膜层，在第一掩膜层上形成第二掩膜层；去除部分第二掩膜层，界定出第一注入窗口，第一注入窗口露出第一掩膜层；通过第一注入窗口离子注入形成阱区，得到第一器件结构；在第一器件结构上整面形成第三掩膜层，刻蚀部分第三掩膜层，保留第一注入窗口侧壁的第三掩膜层和第一注入窗口中间区域的第三掩膜层，界定出第二注入窗口，第二注入窗口底部露出第一掩膜层；通过第二注入窗口离子注入形成重掺杂区，得到第三器件结构；在第三器件结构上整面形成第五掩膜层，去除部分第五掩膜层露出第三掩膜层；去除第二掩膜层，保留第一注入窗口侧壁的第三掩膜层、第二注入窗口内的第五掩膜层和第二注入窗口中间区域的第三掩膜层，界定出第三注入窗口，第三注入窗口底部露出第一掩膜层；通过第三注入窗口离子注入形成JFET注入区，得到第四器件结构，其中，JFET注入区的掺杂类型与重掺杂区的掺杂类型相同，与阱区的掺杂类型不同。

本公开的另一方面，提供一种MOSFET器件的制备方法，该方法包括：提供宽带隙外延片，宽带隙外延片包括宽带隙衬底和设置于宽带隙衬底上的宽带隙漂移层；在宽带隙漂移层上形成第一掩膜层，在第一掩膜层上形成第二掩膜层；去除部分第二掩膜层，界定出第一注入窗口，第一注入窗口露出第一掩膜层；通过第一注入窗口离子注入形成阱区，得到第一器件结构；在第一器件结构上整面形成第三掩膜层，去除部分第三掩膜层，保留第一注入窗口侧壁的第三掩膜层和第一注入窗口中间区域的第三掩膜层，露出第二掩膜层和第一掩膜层的部分区域，界定出第二注入窗口，第二注入窗口露出第一掩膜层；通过第二注入窗口，离子注入形成重掺杂区；去除第二掩膜层，保留第一注入窗口侧壁的第三掩膜层和第一注入窗口中间区域的第三掩膜层，界定出第三注入窗口，第三注入窗口底部露出第一掩膜层；通过第三注入窗口离子注入形成JFET注入区，得到第二器件结构，其中，JFET注入区的掺杂类型与重掺杂区的掺杂类型相同，与阱区的掺杂类型不同。

本公开的有益效果包括：

本公开提供的MOSFET器件的制备方法，能够提高MOSFET器件制备工艺的稳定性，减少光罩的使用，降低成本。

附图说明