[发明专利]一种晶圆减薄方法在审
| 申请号： | 202110855120.X | 申请日： | 2021-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN113764267A | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 刘在福;曾昭孔;郭瑞亮;陈武伟 | 申请（专利权）人： | 苏州通富超威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/683;H01L21/78;B24B37/10;B24B37/30 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 郭栋梁 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆减薄 方法 | ||
1.一种晶圆减薄方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供晶圆，所述晶圆包括芯片层和研磨层，在所述芯片层背离所述研磨层的表面上划设减薄线；
沿所述减薄线减薄，减薄深度为所述芯片层厚度；
在所述芯片层背离所述研磨层的表面涂设第一连接层；
通过所述第一连接层将所述芯片层连接至晶圆研磨台；
研磨所述研磨层，研磨深度为所述研磨层厚度；
在所述芯片层背离所述第一连接层的表面涂设第二连接层；
去除所述第一、二连接层，获取芯片。
2.根据权利要求1所述的晶圆减薄方法，其特征在于，所述提供晶圆，所述晶圆包括芯片层和研磨层，在所述芯片层背离所述研磨层的表面上划设减薄线步骤，包括：
在所述芯片层背离所述研磨层的表面上涂设刻蚀层；
在所述刻蚀层上划设刻蚀线；
利用刻蚀工艺沿所述刻蚀线刻蚀，从而形成所述减薄线。
3.根据权利要求1所述的晶圆减薄方法，其特征在于，所述沿所述减薄线减薄，减薄深度为所述芯片层厚度步骤，包括：
利用激光沿所述减薄线减薄；
去除所述刻蚀层。
4.根据权利要求3所述的晶圆减薄方法，其特征在于，激光的功率为1～3W。
5.根据权利要求1所述的晶圆减薄方法，其特征在于，所述研磨所述研磨层，研磨深度为所述研磨层厚度步骤，包括：
对所述研磨层粗研磨；
对所述研磨层精研磨；
对所述研磨层抛光，直至所述研磨层弯曲去除。
6.根据权利要求1所述的晶圆减薄方法，其特征在于，所述晶圆还设有保护层，所述保护层涂设于所述芯片层背离所述研磨层的表面。
7.根据权利要求1所述的晶圆减薄方法，其特征在于，所述减薄线包括多个纵向减薄线和多个横向减薄线，所述纵向减薄线和所述横向减薄线相互垂直。
8.根据权利要求1所述的晶圆减薄方法，其特征在于，所述第一连接层为UV胶膜。
9.根据权利要求1所述的晶圆减薄方法，其特征在于，所述第二连接层为蓝膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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