[发明专利]一种晶圆减薄方法

说明书

本申请公开了一种晶圆减薄方法，其包括以下步骤：提供晶圆，所述晶圆包括芯片层和研磨层，在所述芯片层背离所述研磨层的表面上划设减薄线；沿所述减薄线减薄，减薄深度为所述芯片层厚度；在所述芯片层背离所述研磨层的表面涂设第一连接层；通过所述第一连接层将所述芯片层连接至晶圆研磨台；研磨所述研磨层，研磨深度为所述研磨层厚度；在所述芯片层背离所述第一连接层的表面涂设第二连接层；去除所述第一、二连接层，获取芯片。本申请的减薄方法，用于较薄的芯片层，在对研磨层研磨时，避免了芯片层的隐裂，有利于提高晶圆减薄精度，提高良品率。

技术领域

本发明一般涉及半导体技术领域，具体涉及一种晶圆减薄方法。

背景技术

晶圆包括芯片层和研磨层，晶圆减薄工艺是对晶圆的研磨层材料进行磨削，去掉一定厚度的材料。

在相关技术中，晶圆减薄工艺包括正面形成减薄线和背面研磨等步骤，在上述背面研磨时，由于芯片层较薄，存在芯片层隐裂的问题。

发明内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种晶圆减薄方法。

本申请提供一种晶圆减薄方法，包括以下步骤：

提供晶圆，所述晶圆包括芯片层和研磨层，在所述芯片层背离所述研磨层的表面上划设减薄线；

沿所述减薄线减薄，减薄深度为所述芯片层厚度；

在所述芯片层背离所述研磨层的表面涂设第一连接层；

通过所述第一连接层将所述芯片层连接至晶圆研磨台；

研磨所述研磨层，研磨深度为所述研磨层厚度；

在所述芯片层背离所述第一连接层的表面涂设第二连接层；

去除所述第一、二连接层，获取芯片。

作为可选的方案，所述提供晶圆，所述晶圆包括芯片层和研磨层，在所述芯片层背离所述研磨层的表面上划设减薄线步骤，包括：

在所述芯片层背离所述研磨层的表面上涂设刻蚀层；

在所述刻蚀层上划设刻蚀线；

利用刻蚀工艺沿所述刻蚀线刻蚀，从而形成所述减薄线。

作为可选的方案，所述沿所述减薄线减薄，减薄深度为所述芯片层厚度步骤，包括：

利用激光沿所述减薄线减薄；

去除所述刻蚀层。

作为可选的方案，激光的功率为1～3W。

作为可选的方案，所述研磨所述研磨层，研磨深度为所述研磨层厚度步骤，包括：

对所述研磨层粗研磨；

对所述研磨层精研磨；

对所述研磨层抛光，直至所述研磨层弯曲去除。

作为可选的方案，所述晶圆还设有保护层，所述保护层涂设于所述芯片层背离所述研磨层的表面。

作为可选的方案，所述减薄线包括多个纵向减薄线和多个横向减薄线，所述纵向减薄线和所述横向减薄线相互垂直。

作为可选的方案，所述第一连接层为UV胶膜。

作为可选的方案，所述第二连接层为蓝膜。

本申请的减薄方法，用于较薄的芯片层，在对研磨层研磨时，避免了芯片层的隐裂，有利于提高晶圆减薄精度，提高良品率。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：