[发明专利]光刻方法在审
| 申请号： | 202110856765.5 | 申请日： | 2021-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN113534624A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 谷云鹏;吴长明;姚振海;陈骆;郭星;王城燚 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/38 | 分类号： | G03F7/38 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种光刻方法，其特征在于，包括：
在晶圆上涂布光阻，所述光阻为正性光阻；
对所述光阻进行软烘烤；
对所述光阻进行曝光后，进行冷却以释放在所述曝光过程中产生的气体；
对所述光阻进行曝光后的烘烤；
对曝光后光阻进行显影。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光阻包括重氮萘醌。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在晶圆上涂布所述光阻后，所述光阻的厚度大于4微米。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，对所述光阻进行所述曝光后，冷却的时间为60秒至150秒。
5.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述在晶圆上涂布光阻，包括：
将所述晶圆放置于涂胶机台上；
在所述晶圆表面滴上光阻，旋转所述晶圆，使所述光阻涂布在所述晶圆的表面。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在对所述光阻进行曝光后的烘烤后，还需要进行冷却。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述晶圆为12英寸制程的晶圆。
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