[发明专利]光刻方法

说明书

本申请公开了一种光刻方法，包括：在晶圆上涂布光阻，该光阻为正性光阻；对光阻进行软烘烤；对光阻进行曝光后，进行冷却以释放在曝光过程中产生的气体；对光阻进行曝光后的烘烤；对光阻进行显影。本申请通过在光刻过程中，在对光阻进行曝光后进行冷却以释放曝光中产生的气体，避免留存在光阻中的气体在后续的烘烤过程中受热膨胀产生缺陷，从而能够在一定程度上降低了光刻过程中形成气泡的几率，降低了光刻图形的缺陷，提高了产品的可靠性和良率。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种光刻方法。

背景技术

图形化是指在晶圆上建立图形的各种工艺，是半导体工艺的过程中最重要的工艺之一，用来在不同的器件和电路之间建立图形的工艺过程，其中，光刻工艺是重要的图形化工艺之一。

光刻工艺包括涂布光阻、曝光、显影等步骤。然而，在曝光后，由于光阻中的气体难以释放，从而保留在光阻中形成气泡，形成缺陷。相关技术中，在曝光之后，往往会进行后烘烤，从而使光阻中的气泡膨胀，使缺陷对图形的损伤加大。

鉴于此，亟待一种光刻方法，能够在不增加额外的工序的条件下去除曝光后的气泡，降低缺陷对图形的损伤。

发明内容

本申请提供了一种光刻方法，可以解决相关技术中提供的光刻方法在曝光后容易产生气泡的问题。

一方面，本申请实施例提供了一种光刻方法，包括：

在晶圆上涂布光阻，所述光阻为正性光阻；

对所述光阻进行软烘烤；

对所述光阻进行曝光后，进行冷却以释放在所述曝光过程中产生的气体；

对所述光阻进行曝光后的烘烤；

对曝光后的光阻进行显影。

可选的，所述光阻包括重氮萘醌(DNQ)。

可选的，在晶圆上涂布所述光阻后，所述光阻的厚度大于4微米(μm)。

可选的，对所述光阻进行所述曝光后，冷却的时间为60秒(s)至150秒。

可选的，所述在晶圆上涂布光阻，包括：

将所述晶圆放置于涂胶机台上；

在所述晶圆表面滴上光阻，旋转所述晶圆，使所述光阻涂布在所述晶圆的表面。

可选的，在对所述光阻进行曝光后的烘烤后，还需要进行冷却。

可选的，所述晶圆为12英寸制程的晶圆。

本申请技术方案，至少包括如下优点：

通过在光刻过程中，在对光阻进行曝光后进行冷却以释放曝光中产生的气体，避免留存在光阻中的气体在后续的烘烤过程中受热膨胀产生缺陷，从而能够在一定程度上降低了光刻过程中形成气泡的几率，降低了光刻图形的缺陷，提高了产品的可靠性和良率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请一个示例性实施例提供的光刻方法的流程图。

具体实施方式

下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。