[发明专利]一种超结结构的氧化镓功率晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种超结结构的氧化镓功率晶体管，包括从下往上层叠设置的漏电极(101)、导电衬底(102)、氧化镓漂移层(103)；所述的氧化镓漂移层(103)上部具有若干互相平行的肋条；肋条上端面还依次层叠氧化镓接触层(104)和源电极(105)；

其特征在于，所述的氧化镓漂移层(103)上端面铺设有超结P型掺杂层(111)，所述超结P型掺杂层(111)靠近肋条的边缘向上延伸至肋条上部；肋条高度高于超结P型掺杂层(111)边缘的延伸高度；肋条上部突出超结P型掺杂层(111)的侧壁设置栅叠层；

所述的超结P型掺杂层(111)与氧化镓漂移层(103)构成超结结构。

2.根据权利要求1所述超结结构的氧化镓功率晶体管，其特征在于，所述的超结P型掺杂层(111)厚度为10nm～1μm。

3.根据权利要求2所述超结结构的氧化镓功率晶体管，其特征在于，所述的超结P型掺杂层(111)厚度为10nm～200nm。

4.根据权利要求1所述超结结构的氧化镓功率晶体管，其特征在于，所述的肋条高度为1μm～5mm。

5.根据权利要求4所述超结结构的氧化镓功率晶体管，其特征在于，所述的肋条高度为1mm～5mm。

6.根据权利要求1所述超结结构的氧化镓功率晶体管，其特征在于，所述的超结P型掺杂层(111)空穴浓度为1×10¹⁶/cm³～1×10¹⁸/cm³。

7.根据权利要求6所述超结结构的氧化镓功率晶体管，其特征在于，所述的超结P型掺杂层(111)空穴浓度为1×10¹⁶/cm³～0.99×10¹⁷/cm³。

8.根据权利要求1所述超结结构的氧化镓功率晶体管，其特征在于，所述的栅叠层包括栅电极(107)，还包括设置在栅电极(107)与肋条之间的栅介质层(110)或第二p型氧化物半导体层(108)。

9.根据权利要求8所述超结结构的氧化镓功率晶体管，其特征在于，所述的第二p型氧化物半导体层(108)空穴浓度为1×10¹⁷/cm³～1×10²⁰/cm³，且第二p型氧化物半导体层(108)的空穴浓度大于超结P型掺杂层(111)。

10.一种超结结构的氧化镓功率晶体管制备方法，其特征在于，在氧化镓漂移层(103)上端面铺设超结P型掺杂层(111)，且肋条露出超结P型掺杂层(111)外，使得超结P型掺杂层(111)与氧化镓漂移层(103)构成超结结构；得到如权利要求1至9任一所述超结结构的氧化镓功率晶体管。