[发明专利]一种W-Ni-Sn-P-Cu基复合粉体及其制备方法和应用有效
申请号: | 202110859733.0 | 申请日: | 2021-07-28 |
公开(公告)号: | CN113649566B | 公开(公告)日: | 2022-11-25 |
发明(设计)人: | 罗国强;郭景伟;李远;孙一;张建;沈强;张联盟 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
主分类号: | B22F1/17 | 分类号: | B22F1/17;C22C1/04;C23C18/48 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 李欣荣 |
地址: | 430070 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 ni sn cu 复合 及其 制备 方法 应用 | ||
本发明公开了一种Cu@Ni‑Sn‑P@W复合粉体,采用化学镀工艺,首先在W粉表面同时镀覆Ni‑Sn‑P镀层,实现活化烧结元素Ni、Sn和P的定区域添加,再定量包覆Cu,获得Cu@Ni‑Sn‑P@W复合粉体,最后将其作为原料在低温烧结条件下获得结构均匀且致密的W‑Ni‑Sn‑P‑Cu复合材料,并可进一步提升W‑Ni‑Sn‑P‑Cu复合材料的性能。本发明所得W‑Ni‑Sn‑P‑Cu复合材料结构均匀且致密,致密度高达98%以上,维氏硬度可达269.1HV,抗弯强度可达1154.8MPa;且涉及的制备工艺较简单、操作方便,能耗较低,适合推广应用。
技术领域
本发明属于粉末冶金粉体处理及其复合材料技术领域,具体涉及一种W-Ni-Sn-P-Cu基复合粉体及其制备方法和应用。
背景技术
W基复合材料具有高熔点、高强度、高耐腐蚀性能及低热膨胀系数等特点,在高温领域、电工电子、航空航天等方面具有极其重要的作用。W-Cu和W-Ni体系复合材料是应用最广和最受研究学者关注的两大类W基复合材料,其中W-Cu体系复合材料是一种典型的假性合金材料,它结合了金属W与Cu各自的优点,具有优良的热学、电学和机械性能,根据不同的应用环境,通过调控W与Cu两相的组分配比可以获得具有不同物理及力学性能的W-Cu复合材料。W-Ni体系复合材料具有良好的耐磨性、抗蚀性、抗氧化性和机械性能,其中Ni作为活化烧结助剂可以改善W基体的烧结性,从而促进复合材料的致密化。目前W-Cu和W-Ni体系复合材料已经被广泛应用于军用穿甲材料、电触头材料、电极材料、大规模集成电路的电子封装材料、导弹的喉衬耐高温材料。
W基复合材料常直接以各组分元素的混合粉作为烧结原料粉,但是W与Cu、Ni的密度差异较大,难以获得各组分均匀分布的混料粉,导致所制备材料的结构不均匀且性能较差。另一方面,W基复合材料在致密化过程中通常需要较高的烧结温度,但较高的烧结温度常引起液相的大量溶出和烧结体的变形,导致复合材料的组分偏析和结构不均匀。在W-Cu体系复合材料中,由于W和Cu两相互不相溶且两相的界面润湿性极差,极大地制约着W-Cu体系复合材料的制备和性能的提升。制备高致密性W-Cu复合材料的传统方法主要包括熔渗法和高温液相烧结法,但由于烧结温度过高,Cu相溶出,导致材料结构不均匀,致密性降低,且长时间高温使晶粒长大,材料力学性能较差。目前有学者通过添加活化烧结助剂如Fe、Co、Ni等提升Cu基体的烧结性并改善W与Cu两相之间的润湿性,从而降低W-Cu体系复合材料的致密化温度并提高材料的力学性能,但将活化烧结助剂以粉末形式简单的引入W-Cu粉末中,易引起粉末分布不均匀的问题,限制了烧结助剂的活化作用;另一方面是通过粉体表面改性技术解决原料粉直接混料均匀性差和W与Cu、Ni熔点差异大导致的复合材料致密化温度高的问题。如Li等通过电镀获得了Cu@W粉,用SPS在1050℃制备了98%的W-20Cu复合材料,Chen等通过化学镀制备Cu@W粉,改变了传统烧结机制,在950℃-100MPa-2h获得了结构均匀且致密的W-Cu复合材料。采用Cu包覆W和Ni包覆W的复合粉体可以降低W-Cu、W-Ni体系复合材料的制备温度且能够提高材料的均匀性和界面结合,但仍存在烧结温度高,晶粒长大,材料力学性能降低;当Ni含量高时,易形成脆性相等问题。
发明内容
本发明的主要目的在于针对现有技术存在的不足,提供一种Cu@Ni-Sn-P@W复合粉体,首先在W粉表面同时镀覆Ni-Sn-P镀层,实现活化烧结元素Ni、Sn和P的定区域添加,然后定量包覆Cu,获得Cu@Ni-Sn-P@W复合粉体,再将其作为原料在温度烧结条件下获得结构均匀且致密的W-Ni-Sn-P-Cu复合材料,同时提升W-Ni-Sn-P-Cu复合材料的性能。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案为:
一种W-Ni-Sn-P-Cu基复合粉体的制备方法,包括如下步骤:
1)W粉前处理;
对W粉依次进行酸洗和碱洗,水洗至中性,醇洗,干燥;采用Sn-Pd活化法对清洗干燥后的W粉进行敏化、活化,然后水洗至中性,再进行醇洗,干燥,备用;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉理工大学,未经武汉理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110859733.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:独立开播进程的实现方法以及相关装置、设备
- 下一篇:一种智慧灯杆