[发明专利]一种聚偏氟乙烯基3D打印具有多孔结构压电制件的制备方法

权利要求书

1.一种聚偏氟乙烯基3D打印具有多孔结构压电制件的制备方法，其特征在于按重量份数计包括以下步骤：

(1)将包括94.5～95.5份PVDF类聚合物粒料与4.5～5.5份离子盐混合均匀后，加入密炼机熔融共混，收集得复合材料块状物；其中，PVDF类聚合物粒料与离子盐共计100重量份；

其中，所述离子盐为四苯基氯化磷；

(2)将步骤(1)所得复合材料块状物进行粉碎处理得到复合材料粉体；

(3)将步骤(2)所得复合材料粉体经挤出加工成型制得3D打印用丝条；其中，挤出加工成型工艺参数为：挤出温度比所述PVDF类聚合物粒料熔融温度高10～50℃；

(4)将步骤(3)所得3D打印用丝条置入熔融沉积成型3D打印机，通过熔融沉积成型3D打印技术制备具有多孔结构压电制件；其中，熔融沉积成型3D打印技术的工艺参数为：按照所需压电制品的三维数字模型切片，设置挤出丝条沿直线的填充模式打印，内部填充角度为0°/90°进行逐层堆叠累积，内部填充率为40％～65％，喷嘴直径为0.4±0.01mm，打印喷嘴温度与步骤(3)挤出温度一致，热床温度为90～130℃，打印速度为500～900mm/min。

2.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于：步骤(1)所述PVDF类聚合物粒料包括纯聚偏氟乙烯粒料、聚偏氟乙烯-六氟丙烯粒料和聚偏氟乙烯-三氟氯乙烯粒料其中任意一种。

3.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于：步骤(1)中所述混合均匀，混合速率为100～500rad/min，混合20～30min。

4.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于：步骤(1)中所述加入密炼机熔融共混中，密炼过程的工艺参数为：密炼室温度比所述PVDF类聚合物粒料熔融温度高10℃～20℃，密炼转子转速为50～80r/min。

5.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于：步骤(3)中所述挤出加工成型工艺参数还包括挤出速度为10～50r/min。

6.根据权利要求1或2所述制备方法，其特征在于：步骤(4)中所述熔融沉积成型3D打印技术的工艺参数为：按照所需压电制品的三维数字模型切片，设置挤出丝条沿直线的填充模式打印，内部填充角度为0°/90°进行逐层堆叠累积，内部填充率为59～61％，喷嘴直径为0.4±0.01mm，打印喷嘴温度与步骤(3)挤出温度一致，热床温度为90～130℃，打印速度为500～900mm/min。

7.根据权利要求1或2所述制备方法，其特征在于：步骤(4)中所述熔融沉积成型3D打印技术的工艺参数为：按照所需压电制品的三维数字模型切片，设置挤出丝条沿直线(Rectilinear)的填充模式打印，内部填充角度为0°/90°进行逐层堆叠累积，内部填充率为44～46％，喷嘴直径为0.4±0.01mm，打印喷嘴温度与步骤(3)挤出温度一致，热床温度为90～130℃，打印速度为500～900mm/min。

8.根据权利要求1～7任一项所述聚偏氟乙烯基3D打印具有多孔结构压电制件的制备方法制备所得具有多孔结构压电制件。