[发明专利]一种芯片温度调控方法及系统、芯片及装置

权利要求书

1.一种芯片温度调控方法，其特征在于，应用于芯片温度调控系统，所述芯片温度调控系统设置于芯片中，所述方法包括：

获取第一频率控制字；

根据所述第一频率控制字，输出时钟信号；所述时钟信号的频率与所述第一频率控制字相关；

根据所述时钟信号的频率，以及采集的所述时钟信号的频率作用前所述芯片的第一内部温度，确定所述时钟信号的频率作用预设时长后所述芯片应达到的第二内部温度；

根据所述第一频率控制字、所述第一内部温度及所述第二内部温度，确定第二频率控制字；

将所述第二频率控制字作为新的第一频率控制字，返回所述根据所述第一频率控制字，输出时钟信号的步骤，以通过调节所述时钟信号的频率，实现所述芯片的内部温度的调控。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述时钟信号的频率，以及采集的所述时钟信号的频率作用前所述芯片的第一内部温度，确定所述时钟信号的频率作用预设时长后所述芯片应达到的第二内部温度，包括：

根据所述时钟信号的频率，确定所述芯片的产热功率与散热功率之间的功率差值；

根据所述功率差值，以及采集的所述时钟信号的频率作用前所述芯片的第一内部温度，确定所述时钟信号的频率作用预设时长后所述芯片应达到的第二内部温度。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述时钟信号的频率，确定所述芯片的产热功率与散热功率之间的功率差值，包括：

根据所述时钟信号的频率，通过下述公式(1)和(2)确定所述芯片的产热功率与散热功率之间的功率差值；

P_δ＝P_g-P_d (1)

P_g＝ACV²f (2)

其中，所述P_δ为所述功率差值，所述P_g为所述芯片的产热功率，所述P_d为所述芯片的散热功率，所述A为常系数，所述C为所述芯片的负载电容，所述V为所述芯片的工作电压，所述f为所述时钟信号的频率。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述功率差值，以及采集的所述时钟信号的频率作用前所述芯片的第一内部温度，确定所述时钟信号的频率作用预设时长后所述芯片应达到的第二内部温度，包括：

根据所述功率差值，以及采集的所述时钟信号的频率作用前所述芯片的第一内部温度，通过下述公式(3)确定所述时钟信号的频率作用预设时长后所述芯片应达到的第二内部温度；

其中，所述T_end为所述第二内部温度，所述T_start为所述第一内部温度，所述P_δ为所述功率差值，所述Δt为所述预设时长，所述cm为所述芯片的内部温度每升高1摄氏度所需要的能量。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一频率控制字、所述第一内部温度及所述第二内部温度，确定第二频率控制字，包括：

在所述第二内部温度超过预设温度的情况下，根据所述第一频率控制字、所述第一内部温度及所述第二内部温度，增大所述第一频率控制字，得到第二频率控制字；

在所述第二内部温度不超过所述预设温度的情况下，根据所述第一频率控制字、所述第一内部温度及所述第二内部温度，减小所述第一频率控制字，得到第二频率控制字。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一频率控制字、所述第一内部温度及所述第二内部温度，确定第二频率控制字，包括：

根据所述第一频率控制字、所述第一内部温度及所述第二内部温度，通过下述公式(4)确定第二频率控制字；

其中，所述T_end为所述第二内部温度，所述T_start为所述第一内部温度，所述F_end为所述第二频率控制字，所述F_start为所述第一频率控制字，所述α和所述β均为预设系数，所述α和所述β均与所述预设温度相关。