[发明专利]一种芯片温度调控方法及系统、芯片及装置

说明书

本发明提供了一种芯片温度调控方法及系统、芯片及装置，涉及芯片技术领域。其中，该方法包括：获取第一频率控制字；根据第一频率控制字输出时钟信号；根据时钟信号频率、该频率作用前芯片的第一内部温度，确定该频率作用预设时长后芯片应达到的第二内部温度；根据第一频率控制字、第一、第二内部温度，确定第二频率控制字；将第二频率控制字作为新的第一频率控制字，返回根据第一频率控制字输出时钟信号的步骤。本发明中，芯片内部温度与时钟信号频率相关，时钟信号频率与频率控制字相关，通过预测芯片内部温度的变化趋势，调节频率控制字，从而可调节时钟信号频率，使芯片内部温度保持在适宜的范围内，提高了芯片的散热性能。

技术领域

本发明涉及芯片技术领域，特别是涉及一种芯片温度调控方法及系统、芯片及装置。

背景技术

如今，芯片的集成度呈指数上升，一颗芯片中已经可以集成上万亿个晶体管。在如此高密度的集成环境下，芯片的散热问题愈发严重，限制了芯片的性能优化。

发明内容

本发明提供一种芯片温度调控方法及系统、芯片及装置，以解决现有芯片的散热问题。

为了解决上述问题，本发明公开了一种芯片温度调控方法，应用于芯片温度调控系统，所述芯片温度调控系统设置于芯片中，所述方法包括：

获取第一频率控制字；

根据所述第一频率控制字，输出时钟信号；所述时钟信号的频率与所述第一频率控制字相关；

根据所述时钟信号的频率，以及采集的所述时钟信号的频率作用前所述芯片的第一内部温度，确定所述时钟信号的频率作用预设时长后所述芯片应达到的第二内部温度；

根据所述第一频率控制字、所述第一内部温度及所述第二内部温度，确定第二频率控制字；

将所述第二频率控制字作为新的第一频率控制字，返回所述根据所述第一频率控制字，输出时钟信号的步骤，以通过调节所述时钟信号的频率，实现所述芯片的内部温度的调控。

可选地，所述根据所述时钟信号的频率，以及采集的所述时钟信号的频率作用前所述芯片的第一内部温度，确定所述时钟信号的频率作用预设时长后所述芯片应达到的第二内部温度，包括：

根据所述时钟信号的频率，确定所述芯片的产热功率与散热功率之间的功率差值；

根据所述功率差值，以及采集的所述时钟信号的频率作用前所述芯片的第一内部温度，确定所述时钟信号的频率作用预设时长后所述芯片应达到的第二内部温度。

可选地，所述根据所述时钟信号的频率，确定所述芯片的产热功率与散热功率之间的功率差值，包括：

根据所述时钟信号的频率，通过下述公式(1)和(2)确定所述芯片的产热功率与散热功率之间的功率差值；

P_δ＝P_g-P_d (1)

P_g＝ACV²f (2)

其中，所述P_δ为所述功率差值，所述P_g为所述芯片的产热功率，所述P_d为所述芯片的散热功率，所述A为常系数，所述C为所述芯片的负载电容，所述V为所述芯片的工作电压，所述f为所述时钟信号的频率。

可选地，所述根据所述功率差值，以及采集的所述时钟信号的频率作用前所述芯片的第一内部温度，确定所述时钟信号的频率作用预设时长后所述芯片应达到的第二内部温度，包括：

根据所述功率差值，以及采集的所述时钟信号的频率作用前所述芯片的第一内部温度，通过下述公式(3)确定所述时钟信号的频率作用预设时长后所述芯片应达到的第二内部温度；