[发明专利]一种对沉积金刚石膜的基底预处理时的控制压力装置有效
申请号: | 202110863732.3 | 申请日: | 2021-07-29 |
公开(公告)号: | CN113524001B | 公开(公告)日: | 2022-11-25 |
发明(设计)人: | 杨黎;李思佳;郭胜惠;冯曙光;高冀芸;胡途 | 申请(专利权)人: | 昆明理工大学 |
主分类号: | B24B29/02 | 分类号: | B24B29/02;B24B41/00;B24B41/02;B24B41/06;B24B49/00;C01B32/26 |
代理公司: | 北京东方盛凡知识产权代理有限公司 11562 | 代理人: | 李瑞雨 |
地址: | 650000 云南省昆明市*** | 国省代码: | 云南;53 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 沉积 金刚石 基底 预处理 控制 压力 装置 | ||
本发明提供一种对沉积金刚石膜的基底预处理时的控制压力装置,包括固定机构、升降机构和调压机构;固定机构包括第一立柱,第一立柱顶部侧壁固接有第一固定块,第一固定块下方设置有第二固定块,第二固定块与第一立柱滑接;第二固定块上固接有若干调平部,若干调平部呈周向等距分布;第一立柱内固接有第一电机,第一电机与第二固定块传动连接;升降机构包括固接在第一立柱顶端的第二立柱,第二立柱远离第一固定块的一侧滑接有移动架,调压机构固接在移动架上;移动架上固接有第二电机,第二电机与第二立柱传动连接。使基底在与抛光机的摩擦过程中受到稳定均匀而持续的作用力,基底的每部分受到均匀处理大大提高了基底的预处理成功率。
技术领域
本发明涉及沉积金刚石膜的基片预处理技术领域,特别是涉及一种对沉积金刚石膜的基底预处理时的控制压力装置。
背景技术
金刚石独特的晶体结构使其拥有众多优异的物理化学性质,如极高的电化学电势窗口,极低的热膨胀系数等,但由于天然金刚石储量低,价格昂贵且多用于工艺品,限制了金刚石的广泛应用。金刚石膜是指通过物理气相沉积或化学气相沉积的方法,在异质或同质衬底上沉积出的,具有一定厚度的金刚石,可分为金刚石自支撑膜与金刚石薄膜涂层。
没有经过预处理的衬底很难形核,而形核率低也将会导致很难成膜,形核密度的大小与表面预处理方法密切相关,形核密度越高,越有利于金刚石膜的形成。为提高表面自由能以促进初期形核密度的提升,本发明利用抛光机与发明的控制压力装置对衬底进行预处理,采用这种方法的具体好处在于:一方面采用金刚石粉机械处理,在硅片表面形成了较均匀连续的微划痕,极大的改善了形核率;另一方面采用纳米级金刚石粉超声震荡处理,提高成膜后的表面平整度,并且为金刚石的生长提供籽晶。
若用手持基底在抛光机上进行预处理,则摩擦角度和摩擦力度都难以控制,生长的金刚石膜均匀性较差,生长质量参差不齐,若直接将基底置于无水乙醇和纳米级金刚石粉的悬浊液里超声,产生的微划痕较浅且有一部分基底处理不到,这两种方法处理的基底沉积出的金刚石膜面积小、均匀性差。
因此亟需设计一种对沉积金刚石膜的基底预处理时的控制压力装置,用以解决上述问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种对沉积金刚石膜的基底预处理时的控制压力装置,以解决上述现有技术存在的问题。
为实现上述目的,本发明提供了如下方案:本发明提供一种对沉积金刚石膜的基底预处理时的控制压力装置,包括固定机构、升降机构和调压机构;
所述固定机构包括第一立柱,所述第一立柱顶部侧壁固接有第一固定块,所述第一固定块下方设置有第二固定块,所述第二固定块与所述第一立柱滑接;所述第二固定块上固接有若干调平部,若干所述调平部呈周向等距分布;所述第一立柱内固接有第一电机,所述第一电机与所述第二固定块传动连接;
所述升降机构包括固接在所述第一立柱顶端的第二立柱,所述第二立柱远离所述第一固定块的一侧滑接有移动架,所述调压机构固接在所述移动架上;所述移动架上固接有第二电机,所述第二电机与所述第二立柱传动连接。
优选的,所述调压机构包括固接在所述移动架上的外壳,所述外壳竖直设置,所述外壳顶部螺纹套设有端盖;所述外壳内滑接有调压部,所述调压部顶端转动连接有第一螺纹杆,所述第一螺纹杆顶端贯穿所述端盖并与所述端盖螺纹连接;所述调压部底端固接有第二螺纹杆,所述第二螺纹杆底端贯穿所述外壳并与所述外壳滑接;所述第二螺纹杆底部螺纹套设有定位夹具;所述第二螺纹杆外侧设置有环形压力检测组件,所述环形压力检测组件与所述外壳底端外壁固接。
优选的,所述调压部包括与所述第一螺纹杆转动连接的第一滑板、与所述第二螺纹杆固接的第二滑板以及位于所述第一滑板和第二滑板之间的弹簧;所述弹簧两端分别与所述第一滑板和所述第二滑板固接,且所述第一滑板与所述第二滑板均与所述外壳内壁滑接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆明理工大学,未经昆明理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110863732.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。