[发明专利]显示面板在审
申请号: | 202110866483.3 | 申请日: | 2021-07-29 |
公开(公告)号: | CN113629113A | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 张淑媛;陈建锋 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 宋煜 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基底;以及
像素驱动电路层,设置于所述基底上,所述像素驱动电路层包括多个像素驱动电路;
所述像素驱动电路层包括:层叠设置在所述基底上的第一半导体层、第一绝缘层以及第二半导体层;
其中,所述像素驱动电路层包括位于各所述像素驱动电路之间且开设于所述第一绝缘层上的第一凹槽,以及设置于所述第一凹槽内的第一有机间隔层。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括显示区,所述第一凹槽包括位于所述显示区内的多个第一子槽和与所述第一子槽交叉设置的多个第二子槽,多个所述第一子槽和多个所述第二子槽将所述显示区划分为多个子区,每一所述子区内至少设有一所述像素驱动电路。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括至少一位于所述显示区内的弯折中心线,所述第一子槽或所述第二子槽沿垂直于所述弯折中心线的方向设置。
4.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括位于所述显示区一侧的弯折走线区,所述第二半导体层上设有第二绝缘层,所述第二绝缘层上设有第一金属层;
所述像素驱动电路层包括位于所述弯折走线区内且至少穿过所述第一绝缘层和第二绝缘层的第二凹槽、以及设置于所述第二凹槽内的第二有机间隔层。
5.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述显示区和所述弯折走线区沿第一方向并列排布,所述第二有机间隔层内开设有多个第三凹槽;
在所述第一方向上,相邻两所述第三凹槽呈波浪型排布,且所述第三凹槽内填充有无机间隔层。
6.如权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第一金属层包括多条沿所述第一方向延伸且位于所述弯折走线区内的信号走线,每一所述信号走线下方对应设有多个所述第三凹槽,所述信号走线对应所述第三凹槽部分沿各所述第三凹槽内壁呈W型设置且位于所述第二有机间隔层与所述无机间隔层之间。
7.如权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述像素驱动电路层还包括设置于所述第一金属层上的平坦层,所述平坦层与所述无机间隔层为一体成型结构。
8.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一凹槽穿过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层,且所述第一有机间隔层与所述第二有机间隔层为一体成型结构。
9.如权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述第二绝缘层与所述第一金属层之间设有一有机绝缘层,所述有机绝缘层、所述第一有机间隔层和所述第二有机间隔层为一体成型结构。
10.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述基底包括衬底和设置于所述衬底上的无机绝缘层,所述第一凹槽依次穿过所述无机绝缘层、第一绝缘层和所述第二绝缘层,所述第一有机间隔层填充于所述第一凹槽内。
11.如权利要求10所述的显示面板,其特征在于,所述基底还包括位于所述衬底与所述无机绝缘层之间的缓冲层,所述第二凹槽依次穿过所述缓冲层、无机绝缘层、第一绝缘层和所述第二绝缘层,所述第二有机间隔层填充于所述第二凹槽内。
12.如权利要求4-11任一项所述的显示面板,其特征在于,所述第一金属层包括位于所述第二绝缘层和所述第一有机间隔层上的扫描桥接走线,相邻且位于不同所述子区内的两所述像素驱动电路通过所述扫描桥接走线桥接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110866483.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的