[发明专利]显示面板在审
申请号: | 202110866483.3 | 申请日: | 2021-07-29 |
公开(公告)号: | CN113629113A | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 张淑媛;陈建锋 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 宋煜 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 | ||
本申请提供一种显示面板,该显示面板包括基底和设置于基底上的像素驱动电路层,像素驱动电路层包括多个像素驱动电路;像素驱动电路层包括层叠设置在所述基底上的第一半导体层、第一绝缘层以及第二半导体层;其中,像素驱动电路层包括位于各像素驱动电路之间且开设于第一绝缘层上的第一凹槽,以及设置于第一凹槽内的第一有机间隔层;通过在第一绝缘层开设位于各所述像素驱动电路之间的第一凹槽,并且在第一凹槽内设置第一有机间隔层,从而可以使显示面板弯折时所产生的应力在第一凹槽处聚集并缓释,降低了弯折应力对像素驱动电路中薄膜晶体管器件性能的影响,避免造成薄膜晶体管的阈值电压漂移,稳定了显示面板弯折过程中的显示亮度。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板。
背景技术
随着显示技术的发展,LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide,低温多晶氧化物)作为一种低功耗的显示技术受到越来越广泛的关注,相比于LTPS TFT(LowTemperature Poly-Silicon TFT,低温多晶硅薄膜晶体管),LTPO TFT(Low TemperaturePolycrystalline Oxide TFT,低温多晶氧化物薄膜晶体管)具有更低的驱动功率,并且LTPO TFT将部分晶体管转化成氧化物,漏电流更少,因此,广泛应用在诸如OLED(OrganicLight Emitting Diode,有机发光二极管显示器)等显示面板中。
目前,随着柔性可折叠显示逐渐成为显示领域的主要发展方向,在诸如采用LTPO技术的显示面板动态弯折的过程中,由于弯折应力的影响,容易造成薄膜晶体管的阈值电压漂移,而导致显示面板弯折前后亮度差异较大。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板,用以缓解现有的显示面板在弯折过程中产生亮度差异的技术问题。
本申请提供一种显示面板,包括:
基底;以及
像素驱动电路层,设置于所述基底上,所述像素驱动电路层包括多个像素驱动电路;
所述像素驱动电路层包括:层叠设置在所述基底上的第一半导体层、第一绝缘层以及第二半导体层;
其中,所述像素驱动电路层包括位于各所述像素驱动电路之间且开设于所述第一绝缘层上的第一凹槽,以及设置于所述第一凹槽内的第一有机间隔层。
在本申请实施例所提供的显示面板中,所述显示面板包括显示区,所述第一凹槽包括位于所述显示区内的多个第一子槽和与所述第一子槽交叉设置的多个第二子槽,多个所述第一子槽和多个所述第二子槽将所述显示区划分为多个子区,每一所述子区内至少设有一所述像素驱动电路。
在本申请实施例所提供的显示面板中,所述显示面板包括至少一位于所述显示区内的弯折中心线,所述第一子槽或所述第二子槽沿垂直于所述弯折中心线的方向设置。
在本申请实施例所提供的显示面板中,所述显示面板还包括位于所述显示区一侧的弯折走线区,所述第二半导体层上设有第二绝缘层,所述第二绝缘层上设有第一金属层;
所述像素驱动电路层包括位于所述弯折走线区内且至少穿过所述第一绝缘层和第二绝缘层的第二凹槽、以及设置于所述第二凹槽内的第二有机间隔层。
在本申请实施例所提供的显示面板中,所述显示区和所述弯折走线区沿第一方向并列排布,所述第二有机间隔层内开设有多个第三凹槽;
在所述第一方向上,相邻两所述第三凹槽呈波浪型排布,且所述第三凹槽内填充有无机间隔层。
在本申请实施例所提供的显示面板中,所述第一金属层包括多条沿所述第一方向延伸且位于所述弯折走线区内的信号走线,每一所述信号走线下方对应设有多个所述第三凹槽,所述信号走线对应所述第三凹槽部分沿各所述第三凹槽内壁呈W型设置且位于所述第二有机间隔层与所述无机间隔层之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的