[发明专利]芯片封装结构的制作方法

权利要求书

1.一种芯片封装结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供塑封中间体，所述塑封中间体包括至少一个裸片以及包覆所述裸片的塑封层；所述塑封层包括相对的正面与背面，所述裸片包括位于活性面的若干焊盘，所述焊盘暴露在所述塑封层的正面；

在所述塑封层的正面与背面中的一个上整面形成导电层；经所述塑封层的正面与背面中的另一个在所述塑封层内形成通孔，以所述导电层为供电层进行电镀工艺，填充所述通孔形成导电插塞；所述导电插塞包括相对的第一端与第二端，所述第一端与所述导电层连接；

至少在所述导电插塞的第二端形成第一导电结构；图形化所述导电层形成第二导电结构。

2.根据权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于：

所述导电层整面形成在所述塑封层的背面上；经所述塑封层的正面在所述塑封层内形成通孔；所述第一导电结构为第一再分布层，所述第一再分布层形成在所述导电插塞的第二端、所述焊盘以及所述塑封层的正面上，至少电连接所述导电插塞与所述焊盘；

所述第二导电结构为导电凸块，所述导电凸块电连接所述导电插塞，所述导电凸块为所述芯片封装结构的对外电连接端。

3.根据权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于：

所述导电层整面形成在所述塑封层的背面上；经所述塑封层的正面在所述塑封层内形成通孔；所述第一导电结构为第一再分布层，所述第一再分布层形成在所述导电插塞的第二端、所述焊盘以及所述塑封层的正面上，至少电连接所述导电插塞与所述焊盘；

所述第二导电结构为第二再分布层，所述第二再分布层电连接所述导电插塞；

所述制作方法还包括：在所述第一再分布层或所述第二再分布层上形成导电凸块，所述导电凸块为所述芯片封装结构的对外电连接端。

4.根据权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于：

所述导电层整面形成在所述塑封层的正面上，所述导电层电连接所述焊盘；经所述塑封层的背面在所述塑封层内形成通孔；所述第一导电结构为第二再分布层，所述第二再分布层形成在所述导电插塞的第二端与所述塑封层的背面上，电连接所述导电插塞；

所述第二导电结构为第一再分布层，所述第一再分布层至少电连接所述导电插塞与所述焊盘；

所述制作方法还包括：在所述第一再分布层或所述第二再分布层上形成导电凸块，所述导电凸块为所述芯片封装结构的对外电连接端。

5.根据权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于：

所述导电层整面形成在所述塑封层的正面上，所述导电层电连接所述焊盘；经所述塑封层的背面在所述塑封层内形成通孔；所述第一导电结构为导电凸块，所述导电凸块形成在所述导电插塞的第二端与所述塑封层的背面上，电连接所述导电插塞，所述导电凸块为所述芯片封装结构的对外电连接端；

所述第二导电结构为第一再分布层，所述第一再分布层至少电连接所述导电插塞与所述焊盘。

6.根据权利要求1至5任一项所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述裸片的活性面设有保护层，所述保护层具有暴露所述焊盘的开口；

和/或所述形成第一导电结构与所述形成第二导电结构步骤后，所述制作方法还包括：

切割形成多个芯片封装结构，每个芯片封装结构至少包括一个裸片。

7.根据权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述塑封中间体的形成方法包括：

提供载板与承载于所述载板的至少一组待塑封件，每组所述待塑封件至少包括一个裸片，所述裸片包括若干焊盘，所述焊盘位于所述裸片的活性面；所述裸片的活性面朝向所述载板；

在所述载板上形成塑封层，以包覆各组所述待塑封件，所述塑封层包括相对的正面与背面；去除所述载板，暴露所述塑封层的正面与所述裸片的活性面。

8.根据权利要求7所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述裸片包括位于背面的背电极；经所述塑封层的背面在所述塑封层内形成过孔，所述过孔暴露所述背电极；当在所述塑封层的背面上整面形成导电层时，所述导电层填充所述过孔以与所述背电极连接。