[发明专利]一种微透镜阵列结构的制作方法

权利要求书

1.一种微透镜阵列结构的制作方法，其特征在于，包括：

步骤A：在基底的表面均匀涂覆一层光刻胶，形成光刻胶掩膜层；

步骤B：对所述光刻胶掩膜层进行曝光、显影，形成光刻掩膜图形结构；其中，所述光刻掩膜图形结构包括若干个圆柱形光刻胶柱，所有圆柱形光刻胶柱按照光学设计进行阵列排布；

步骤C：对所述光刻掩膜图形结构进行热熔，使得所述圆柱形光刻胶柱形成球面型的微透镜形态结构、并继续高温固化，在所述基底的表面形成光刻胶微透镜阵列图形；

步骤D：将所述光刻胶微透镜阵列图形用于压印模板，通过纳米压印工艺将微透镜阵列图形转移至目标基板上的压印胶上、并固化所述压印胶，使得所述目标基板与所述压印胶形成非接触型微透镜阵列结构。

2.根据权利要求1所述的微透镜阵列结构的制作方法，其特征在于，步骤D中，所述压印胶的类型与产品光学设计要求指定的光学性能相匹配,所述压印胶固化后形成压印胶微透镜阵列掩膜；

在步骤D之后，所述方法还包括：

步骤E：对带有所述压印胶微透镜阵列掩膜的所述目标基板进行刻蚀，将所述微透镜阵列图形按照1:1比例复制至所述目标基板上，形成接触型微透镜阵列结构。

3.根据权利要求1所述的微透镜阵列结构的制作方法，其特征在于，步骤B中，“所有圆柱形光刻胶柱按照光学设计进行阵列排布”具体包括：

所有圆柱形光刻胶柱按照预设周期值阵列排布或随机排布；其中，相同面积内的圆柱形光刻胶柱的数量相同。

4.根据权利要求3所述的微透镜阵列结构的制作方法，其特征在于，所述周期值范围为2～150μm。

5.根据权利要求1所述的微透镜阵列结构的制作方法，其特征在于，步骤C中，“对所述光刻掩膜图形结构进行热熔”具体包括：

将所述光刻掩膜图形结构放在热板或者高温烘箱中，通过光刻热熔法进行热熔、使得图形发生回流变化。

6.根据权利要求2所述的微透镜阵列结构的制作方法，其特征在于，步骤E中，“对带有所述压印胶微透镜阵列掩膜的所述目标基板进行刻蚀”具体包括：

将带有所述压印胶微透镜阵列掩膜的所述目标基板放入NLD干法刻蚀设备内进行刻蚀。

7.根据权利要求6所述的微透镜阵列结构的制作方法，其特征在于，所述目标基板为玻璃基板或石英基板或蓝宝石基板。

8.根据权利要求1所述的微透镜阵列结构的制作方法，其特征在于，在步骤A之前，所述方法还包括：

步骤X1：对所述基底进行清洗。

9.根据权利要求8所述的微透镜阵列结构的制作方法，其特征在于，在步骤X1之后，所述方法还包括：

步骤X2：对所述基底进行表面增粘处理。

10.根据权利要求1所述的微透镜阵列结构的制作方法，其特征在于，步骤A中，“在基底的表面均匀涂覆一层指定的光刻胶，形成光刻胶掩膜层”具体包括：

采用旋涂或喷涂方式，在所述基底的表面均匀涂覆所述光刻胶，使得所述光刻胶掩膜层的厚度范围为0.8～35μm。