[发明专利]一种射频前端模组及5G大规模MIMO基站系统

权利要求书

1.一种射频前端模组，其特征在于，包括N路收发通道，其中，N为正整数；每路收发通道包括开关和低噪声放大器模块，所述开关的一端与RFIN端连接，一端与Load端连接，一端与低噪声放大器模块连接。

2.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，所述开关采用但不限于单刀双掷开关。

3.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，所述低噪声放大器模块包括M颗芯片，其中，M为正整数。

4.根据权利要求2所述的射频前端模组，其特征在于，所述低噪声放大器模块包括两个低噪声放大器。

5.根据权利要求4所述的射频前端模组，其特征在于，所述射频前端模组包括两路收发通道即A通道和B通道，所述A通道包括单刀双掷开关SW1A和第一低噪声放大器模块，其中，所述第一低噪声放大器模块包括低噪声放大器LNA1A和带旁路功能的低噪声放大器LNA2A，所述单刀双掷开关SW1A的一端与RFIN_A端连接，一端与Load_A端连接，输出端与低噪声放大器LNA1A的输入端连接，低噪声放大器LNA1A的输出端与带旁路功能的低噪声放大器LNA2A的输入端相连接，带旁路功能的低噪声放大器LNA2A的输出端与RFOUT_A端连接；所述B通道包括单刀双掷开关SW1B和第二低噪声放大器模块，其中，所述第二低噪声放大器模块包括低噪声放大器LNA1B和带旁路功能的低噪声放大器LNA2B，所述单刀双掷开关SW1B的一端与RFIN_B端连接，一端与Load_B端连接，输出端与低噪声放大器LNA1B的输入端连接，低噪声放大器LNA1B的输出端与带旁路功能的低噪声放大器LNA2B的输入端相连接，带旁路功能的低噪声放大器LNA2B的输出端与RFOUT_B端连接。

6.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，所述射频前端模组的芯片封装采用基板、引线框架的任一种。

7.根据权利要求6所述的射频前端模组，其特征在于，所述射频前端模组中不同的收发通道间设置有金丝电磁屏蔽墙以隔离空间耦合，所述金丝电磁屏蔽墙有s行t列，其中s和t为正整数。

8.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，所述射频前端模组在基板上开设有用于隔离基板间耦合的隔离槽。

9.根据权利要求2所述的射频前端模组，其特征在于，所述单刀双掷开关采用大功率单刀双掷开关；所述低噪声放大器模块包括高线性低噪声放大器和带旁路功能的可应用于TDD系统中的高线性低噪声放大器。

10.一种5G大规模MIMO基站系统，其特征在于，该系统采用权利要求1至9任一项所述的射频前端模组。