[发明专利]一种晶体制备装置有效
申请号: | 202110870910.5 | 申请日: | 2020-06-24 |
公开(公告)号: | CN113584572B | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
发明(设计)人: | 王宇;官伟明;梁振兴;李敏 | 申请(专利权)人: | 眉山博雅新材料股份有限公司 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B15/28;C30B15/30 |
代理公司: | 成都七星天知识产权代理有限公司 51253 | 代理人: | 杨永梅 |
地址: | 620010 四川省眉*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶体 制备 装置 | ||
本说明书涉及一种晶体制备装置。该装置包括:炉膛;温场,所述温场至少部分位于所述炉膛内,所述温场与真空装置密封连接;提拉杆,所述提拉杆的至少一部分位于所述温场内;以及运动装置,所述运动装置与所述提拉杆传动连接以带动所述提拉杆上下运动和/或旋转。
分案说明
本申请是针对申请日为2020年6月24日、申请号为202010585048.9的中国申请提出的分案申请。
优先权声明
本申请要求2019年8月21日提交的国际申请PCT/CN2019/101698和2019年8月21日提交的中国申请201910772691.X的优先权,其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本申请涉及受激发射器件技术领域,特别涉及一种用于制备受激发射器件中的晶体的晶体制备装置。
背景技术
受激发射器件是一种受外界条件(例如,γ射线、X射线)激发以使电子发生能态跃迁,从而发射光的器件。随着科技的发展,受激发射器件广泛应用于工业、医疗、科研、通讯、军事等领域。受激发射器件中通常需要使用各种晶体材料(例如,闪烁晶体、激光晶体)。为了保证所制备的晶体的质量从而提高受激发射器件的性能,晶体制备装置需满足相对严格的要求,例如,密闭、真空等。然而,常见的晶体制备装置结构复杂且真空环境控制难度较大,不利于晶体的稳定生长。因此,有必要提供一种晶体制备装置,可以满足真空度要求,从而制备高质量的晶体。
发明内容
本说明书实施例之一提供一种晶体制备装置。该晶体制备装置包括炉膛;温场,所述温场至少部分位于所述炉膛内,所述温场与真空装置密封连接;提拉杆,所述提拉杆的至少一部分位于所述温场内;以及运动装置,所述运动装置与所述提拉杆传动连接以带动所述提拉杆上下运动和/或旋转。
在一些实施例中,所述温场的一部分位于所述炉膛内,所述温场的另一部分位于所述炉膛外。
在一些实施例中,所述炉膛包括炉盖,所述炉盖上设置第一通孔,所述温场通过所述第一通孔置于所述炉膛内。
在一些实施例中,所述炉膛为非密闭结构。
在一些实施例中,所述温场包括顶部开口;所述顶部开口与顶部密封件密封连接,其中,所述顶部密封件包括第二通孔,所述温场通过所述第二通孔与所述真空装置密封连接。
在一些实施例中,所述温场包括底部开口;所述底部开口与底部密封件密封连接。
在一些实施例中,所述顶部密封件或所述底部密封件为冷却密封件,所述冷却密封件中通入冷却介质进行冷却。
在一些实施例中,所述晶体制备装置还包括密封套管,以使所述提拉杆处于密闭环境,其中,所述密封套管的一端与所述温场顶部密封连接。
在一些实施例中,所述密封套管的另一端与所述运动装置的滑块密封连接。
在一些实施例中,所述温场包括:第一筒;第二筒,所述第二筒设置于所述第一筒内部;填充体,所述填充体填充于所述第二筒内部和/或所述第二筒与所述第一筒之间的空隙中。
附图说明
本申请将以示例性实施例的方式进一步说明,这些示例性实施例将通过附图进行详细描述。这些实施例并非限制性的,在这些实施例中,相同的编号表示相同的结构,其中:
图1是根据本申请一些实施例所示的示例性晶体制备装置的结构示意图;
图2是根据本申请一些实施例所示的示例性晶体制备装置的右视图;
图3是根据本申请一些实施例所示的示例性晶体制备装置的剖视图;
图4是根据本申请一些实施例所示的示例性炉膛的截面示意图;
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