[发明专利]半导体封装装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202110872342.2 申请日: 2021-07-30
公开(公告)号: CN113611679A 公开(公告)日: 2021-11-05
发明(设计)人: 张皇贤 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L21/50
代理公司: 北京植德律师事务所 11780 代理人: 唐华东
地址: 中国台湾高雄*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体封装装置,包括:

重布线层,包括上重布线层及下重布线层;

加固层,设置于所述上重布线层及所述下重布线层之间,所述加固层具有接合介面;

第一电子元件和第二电子元件,设置于所述重布线层上。

2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述加固层设置有线路层,所述线路层电连接所述上重布线层及所述下重布线层。

3.根据权利要求2所述的装置,其中,所述线路层在所述接合介面具有空隙。

4.根据权利要求2所述的装置,其中,所述线路层在所述接合介面具有错位结构。

5.根据权利要求1所述的装置,其中,所述重布线层还包括第一导孔,所述加固层设置有第二导孔,所述第二导孔的孔径小于所述第一导孔的孔径。

6.根据权利要求1所述的装置,其中,所述装置还包括:

电连接件,设置于所述重布线层下。

7.根据权利要求6所述的装置,其中,所述装置还包括:

基板,设置于所述重布线层下,通过所述电连接件与所述重布线层电连接。

8.根据权利要求1所述的装置,其中,所述装置还包括:

线路,设置于所述接合介面。

9.根据权利要求1所述的装置,其中,所述加固层包括在所述接合介面上依次设置的第一子加固层和第二子加固层,所述第二子加固层设置于所述第一子加固层和所述上重布线层之间,所述第二子加固层与所述上重布线层的粘合度大于所述第一子加固层与所述上重布线层的粘合度。

10.根据权利要求1所述的装置,其中,所述加固层的刚性大于所述重布线层的刚性。

11.根据权利要求1所述的装置,其中,所述加固层的热膨胀系数小于所述重布线层的热膨胀系数。

12.一种半导体封装装置,包括:

加固层,包括上加固层和下加固层;

重布线层,设置于所述上加固层和所述下加固层之间;

第一电子元件和第二电子元件,设置于所述加固层上。

13.一种半导体封装装置的制造方法,包括:

提供第一载板,以及在所述第一载板上设置上加固层,所述上加固层设置有第一子线路层;

在所述上加固层上设置上重布线层;

提供第二载板,以及在所述第二载板上设置下加固层,所述下加固层设置有第二子线路层;

在所述下加固层上设置下重布线层;

移除所述第一载板和所述第二载板;

将所述上加固层相对所述下加固层键合,形成加固层,所述加固层具有接合介面,所述第一子线路层和所述第二子线路层在所述接合介面电连接,形成线路层;

在所述上重布线层上设置第一电子元件和第二电子元件。

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