[发明专利]一种待打线封装芯片产品的清洗方法在审
| 申请号： | 202110876103.4 | 申请日： | 2021-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN113611592A | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 彭芹;郑强;陈绍吉;李宁 | 申请（专利权）人： | 成都先进功率半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/60;H01L21/67;B08B3/12 |
| 代理公司： | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人： | 张迪 |
| 地址： | 611731 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 待打线 封装 芯片 产品 清洗 方法 | ||
1.一种待打线封装芯片产品的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、将待打线封装芯片产品置于清洗剂中，在超声作用下进行清洗；
步骤2、将所述步骤1清洗后的待打线封装芯片产品在去离子水中进行浸泡处理；
步骤3、将所述步骤2浸泡后的待打线封装芯片产品进行脱水处理；
步骤4、将所述步骤3脱水处理后的产品进行烘干处理，清洗完成。
2.根据权利要求1所述的待打线封装芯片产品的清洗方法，其特征在于，所述步骤1中，清洗剂是水剂型清洗剂。
3.根据权利要求1所述的待打线封装芯片产品的清洗方法，其特征在于，所述步骤1中，超声功率为1～3w/L。
4.根据权利要求3所述的待打线封装芯片产品的清洗方法，其特征在于，所述步骤1中，超声清洗的温度不超过60℃，超声清洗的时间不超过20min。
5.根据权利要求1所述的待打线封装芯片产品的清洗方法，其特征在于，所述步骤1中，在超声作用下清洗过程中，清洗剂为循环流动的，流量为50L/min～100L/min。
6.根据权利要求1所述的待打线封装芯片产品的清洗方法，其特征在于，所述步骤2中，浸泡处理的时间为1min～5min。
7.根据权利要求1所述的待打线封装芯片产品的清洗方法，其特征在于，所述步骤3中，脱水处理是采用溶剂浸泡的方式对产品进行脱水处理。
8.根据权利要求7所述的待打线封装芯片产品的清洗方法，其特征在于，所述溶剂是无水乙醇和正溴丙烷中的至少一种。
9.根据权利要求7所述的待打线封装芯片产品的清洗方法，其特征在于，所述步骤3中，溶剂浸泡的时间为至少1min。
10.根据权利要求1-9任意一项所述的待打线封装芯片产品的清洗方法，其特征在于，所述步骤4中，烘干的温度为70℃～90℃，烘干的时间为15min～25min。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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