[发明专利]光罩热膨胀校正方法有效
申请号: | 202110879709.3 | 申请日: | 2021-08-02 |
公开(公告)号: | CN113703282B | 公开(公告)日: | 2022-09-06 |
发明(设计)人: | 任茂华;白源吉;谈文毅 | 申请(专利权)人: | 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 |
主分类号: | G03F1/72 | 分类号: | G03F1/72 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 徐协成 |
地址: | 361100 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热膨胀 校正 方法 | ||
1.一种光罩热膨胀校正方法,包括:
对第一组晶圆执行曝光程序并在对该第一组晶圆执行曝光程序后,依据至少光罩上累积的温度变化及分布的数据生成第一配方;
执行数据挖掘及数据解析以生成多个迭置参数;
由该多个迭置参数取出与光罩的热膨胀相关的多个预定参数;
对该多个预定参数的每一预定参数执行线性回归;
生成该每一预定参数的第一决定系数(coefficient of determination);及
若该多个预定参数的多个第一决定系数都在可接受范围,根据该第一配方对其他晶圆执行该曝光程序;
其中对该每一预定参数,根据以下公式生成该第一决定系数:
其中:
Rj2是该第一决定系数;
N是该第一组晶圆的晶圆数量,且N是大于2的正整数;
ActYi是该第一组晶圆的第i晶圆对应于该每一预定参数的实际值;
PredYi是该第一组晶圆的该第i晶圆对应于该每一预定参数的预测值;及
Avg(ActY)是该第一组晶圆对应于该每一预定参数的平均值。
2.一种光罩热膨胀校正方法,包括:
对第一组晶圆执行曝光程序并在对该第一组晶圆执行曝光程序后,依据至少光罩上累积的温度变化及分布的数据生成第一配方;
执行数据挖掘及数据解析以生成多个迭置参数;
由该多个迭置参数取出与光罩的热膨胀相关的多个预定参数;
对该多个预定参数的每一预定参数执行线性回归;
生成该每一预定参数的第一决定系数(coefficient of determination);
其中对该每一预定参数,根据以下公式生成该第一决定系数:
其中:
Rj2是该第一决定系数;
N是该第一组晶圆的晶圆数量,且N是大于2的正整数;
ActYi是该第一组晶圆的第i晶圆对应于该每一预定参数的实际值;
PredYi是该第一组晶圆的该第i晶圆对应于该每一预定参数的预测值;及
Avg(ActY)是该第一组晶圆对应于该每一预定参数的平均值,
若该多个预定参数中有至少一预定参数的至少一第一决定系数不在可接受范围,对不同于该第一组晶圆的第二组晶圆执行该曝光程序并在对该第二组晶圆执行曝光程序后,依据至少光罩上累积的温度变化及分布的数据生成第二配方;
执行该数据挖掘及该数据解析以生成多个更新迭置参数;
由该多个更新迭置参数取出与光罩的热膨胀相关的多个更新预定参数;
对该多个更新预定参数的每一更新预定参数执行该线性回归;
生成该每一更新预定参数的第二决定系数(coefficient of determination);及
若该多个更新预定参数的多个第二决定系数都在该可接受范围,根据该第二配方对其他晶圆执行该曝光程序;
其中对该每一更新预定参数,根据以下公式生成该第二决定系数:
其中:
Rj2是该第二决定系数;
N是该第二组晶圆的晶圆数量,且N是大于2的正整数;
ActYi是该第二组晶圆的第i晶圆对应于该每一更新预定参数的实际值;
PredYi是该第二组晶圆的该第i晶圆对应于该每一更新预定参数的预测值;及
Avg(ActY)是该第二组晶圆对应于该每一更新预定参数的平均值。
3.如权利要求2所述的方法,其中对该每一更新预定参数,若1≧Rj20.9,则该第二决定系数是在该可接受范围。
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