[发明专利]光罩热膨胀校正方法

说明书

光罩热膨胀校正方法，包括对一组晶圆执行曝光程序并生成配方，执行数据挖掘及数据解析以生成多个迭置参数，由该多个迭置参数取出多个预定参数，对每一预定参数执行线性回归，及生成该每一预定参数的决定系数。

技术领域

本发明涉及一种光罩热膨胀校正方法，尤其涉及一种通过校正线性回归生成的曲线来校正光罩热膨胀的方法。

背景技术

在晶圆的曝光期间，光罩会被深紫外光加热，这不仅会造成光罩变形，也会使曝光后的产品生成不当曝光的后遗症。为了改善不当曝光的问题，艾司摩尔科技(ASML)提供了光罩加热校正运算法(Reticle Heating Calibration Method)。它使用曝光第一批晶圆时，光罩因曝光加热的温度来预测下一批晶圆曝光时的影响，并对曝光对准进行修正，以降低光罩受热膨胀导致错误的曝光迭置(overlay)的潜在风险。然而，在代工领域上，并没有在对晶圆曝光的配方(sub-recipe)有误时，提供任何修正配方的方法，单单对曝光对准进行修正并没有对症下药，且很容易导致产品不符合规格而使其良率受损。

发明内容

实施例提供一种光罩热膨胀校正方法，包括对一组晶圆执行曝光程序并生成配方，执行数据挖掘及数据解析以生成多个迭置参数，由该多个迭置参数取出多个预定参数，对该多个预定参数的每一预定参数执行线性回归，及生成该每一预定参数的决定系数(coefficient of determination)。

实施例提供另一种光罩热膨胀校正方法，包括对一组晶圆执行曝光程序并生成配方，执行数据挖掘及数据解析以生成多个迭置参数，对该多个迭置参数的每一迭置参数执行线性回归，及生成该每一迭置参数的决定系数。

附图说明

图1是实施例光罩热膨胀校正系统的示意图。

图2是实施例光罩热膨胀校正方法的流程图。

图3是以图1计算系统生成4个迭置参数为例的示意图。

图4是以图1计算系统生成4个更新迭置参数为例的示意图。

图5是另一实施例光罩热膨胀校正方法的流程图。

图6是另一实施例光罩热膨胀校正方法的流程图。

图7是另一实施例光罩热膨胀校正方法的流程图。

【预定元件符号说明】

10 光罩热膨胀校正系统

12 计算系统

14 存储器

16 扫描器

18 第一配方

20 第二配方

22 第一组晶圆

24 第二组晶圆

30，100，200，300 光罩热膨胀校正方法

S32至S60，S102至S134，S202至S226，S302至S330 步骤

K1至K4 参数

T 时间

％ 偏移量

具体实施方式

图1是实施例光罩热膨胀校正系统10的示意图。光罩热膨胀校正系统10包括计算系统12、存储器14及扫描器16，存储器14及扫描器16可耦接于计算系统12，存储器14可在计算系统12生成第一配方18及第二配方20时存储第一配方18及第二配方20。图2是实施例光罩热膨胀校正方法30的流程图，光罩热膨胀校正方法30包括以下步骤：