[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110880144.0 | 申请日： | 2021-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN113675229A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 廖英凯;刘人诚;黄冠杰;洪志明;朱怡欣;陈祥麟;江欣益 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造半导体器件的方法，包括：
提供包括像素区域和逻辑区域的衬底；
在所述像素区域内形成沟槽；
在形成所述沟槽之后，沿着所述沟槽的侧壁和底面形成掺杂半导体层；
在所述沟槽内和所述掺杂半导体层上方形成锗层；以及
在形成所述锗层之后，在所述锗层内形成光学传感器。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述掺杂半导体层包括对所述沟槽的所述侧壁和所述底面执行离子注入工艺。
3.根据权利要求2所述的方法，还包括在执行所述离子注入工艺之前，在所述沟槽的所述侧壁和所述底面上方形成氧化物层。
4.根据权利要求3所述的方法，还包括在形成所述锗层之前，去除所述氧化物层。
5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述离子注入工艺沿着所述沟槽的所述侧壁和所述底面形成掺杂硅(Si)层。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述掺杂半导体层包括沿着所述沟槽的所述侧壁和所述底面外延生长掺杂硅层。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述掺杂半导体层包括沿着所述沟槽的所述侧壁和所述底面外延生长掺杂锗(Ge)层。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述掺杂半导体层包括P型材料和VIIA族材料中的至少一种。
9.一种制造半导体器件的方法，包括：
提供衬底；
在所述衬底上方形成锗层；
在形成所述锗层之后，沿着所述锗层的底部形成掺杂层，其中，形成所述掺杂层包括对所述锗层执行离子注入工艺；以及
在形成所述掺杂层之后，在所述锗层内形成光学传感器。
10.一种半导体器件，包括：
硅(Si)衬底，包括像素区域和与所述像素区域相邻的逻辑区域；
锗(Ge)层，形成在沟槽中，所述沟槽位于设置在所述像素区域内的所述硅衬底内，其中，沿着所述沟槽的侧壁和底面限定Ge-Si界面，并且其中，传感器设置在所述锗层内；以及
掺杂区域，靠近所述Ge-Si界面设置，其中，所述掺杂区域阻止所述硅衬底内的电子进入所述锗层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
