[发明专利]一种耐高压调光膜及其制造方法在审
申请号: | 202110881510.4 | 申请日: | 2021-08-02 |
公开(公告)号: | CN113568208A | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 舒杨;朱龙山 | 申请(专利权)人: | 重庆御光新材料股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1333 | 分类号: | G02F1/1333;G02F1/1334 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 404500 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高压 调光 及其 制造 方法 | ||
本发明公开了一种耐高压调光膜及其制造方法,所述耐高压调光膜包括第一透明导电层、液晶层、第二透明导电层,所述液晶层设置在第一透明导电层、第二透明导电层之间,且液晶层两层分别与第一透明导电层、第二透明导电层相接,所述第一透明导电层、第二透明导电层与液晶层相接的一面均设置绝缘镀层。本发明通过在两个透明导电层上增加镀层,该镀层能提高电场之间的绝缘性,通过相关实验证实,硅镀层弥补了液晶分子层的绝缘性不是很好的缺陷,提高调光膜的耐压值5‑10倍。镀层能提高电场之间的绝缘性,避免出现某一薄弱点或工艺灰尘点被电场击穿的情况。
技术领域:
本发明涉及调光膜制造技术领域,尤其涉及一种耐高压调光膜及其制造方法。
背景技术:
目前市场上调光膜PDLC,是通过两层透明导电层夹合一层混合有粘合剂的液晶高分子材料制作而成,液晶高分子材料在电场中,会发生角度偏转,当两层透明导电层之间没有电压,液晶分子不在电场中,液晶分子无序排列,将射入光线导向各种随机角度,此时调光膜不透明,雾面效果。当两层透明导电层之间有电压,形成电场之后,液晶分子会有序排列,所有液晶分子朝同一方向,此时光线不被变形的穿透调光膜,从而透过到调光膜对面,形成透明的效果。
由于液晶分子层之后10-20uM的厚度,而一般调光膜的正常工作电压为30-100V;此时两个透明导电层之间电压较高,而液晶分子层的绝缘性并不是很好,常常出现某一薄弱点或工艺灰尘点被电场击穿的情况,变成坏点,基本无法维修,从而导致整片调光膜报废。
发明内容:
本发明的目的在于提供一种耐高压调光膜及其制造方法,在两个透明导电层上增加镀层,该镀层能提高电场之间的绝缘性,避免出现某一薄弱点或工艺灰尘点被电场击穿的情况。
本发明由如下技术方案实施:一种耐高压调光膜,包括第一透明导电层、液晶层、第二透明导电层,所述液晶层设置在第一透明导电层、第二透明导电层之间,且液晶层两层分别与第一透明导电层、第二透明导电层相接,所述第一透明导电层、第二透明导电层与液晶层相接的一面均设置绝缘镀层。
进一步的,所述第一透明导电层、第二透明导电层分别通过第一电极线、第二电极线与电源模块电性连接。
进一步的,所述电源模块与控制模组有线连接。
进一步的,所述电源模块与控制模组无线连接。
进一步的,所述电源模块与控制模组上均设置无线通讯模块,所述无线通讯模块为红外模块、射频模块、蓝牙模块、wifi模块、2.4G模块任一一种。
进一步的,所述绝缘镀层为5uM-10uM的硅镀层。
本发明还提供一种耐高压调光膜的制造方法,包括:
在玻璃衬底上镀一层透明导电膜,形成第一透明导电层、第二透明导电层;所述第一透明导电层、第二透明导电层的制作工艺为磁控溅射、化学气相沉积、真空反应蒸发、溶胶一凝胶法、微波ECR等离子体反应蒸发沉积、脉冲激光沉积、喷射热分解任意一种;
在第一透明导电层、第二透明导电层与液晶层相接的一面上通过电镀或者喷镀的方法加工一层绝缘镀层,所述绝缘镀层的制作工艺为磁控溅射、化学气相沉积、真空反应蒸发、溶胶一凝胶法、微波ECR等离子体反应蒸发沉积、脉冲激光沉积、喷射热分解任意一种;
将液晶层加工设置在第一透明导电层、第二透明导电层之间,且液晶层两层分别与第一透明导电层、第二透明导电层上加工形成的绝缘镀层相接。
进一步的,在玻璃衬底上镀一层透明导电膜,所述透明导电膜为In2O3和SnO2材料。
进一步的,所述在第一透明导电层、第二透明导电层与液晶层相接的一面上电镀或者喷镀的材料包括三层,其中最内一层为30%的In、70%的Zn,中间层为50%的Sb、50%的Cd,最外层为硅材料或者硅材料与其他绝缘材料的复合绝缘材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆御光新材料股份有限公司,未经重庆御光新材料股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110881510.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。