[发明专利]NOR型存储器件及其制造方法及包括存储器件的电子设备

权利要求书

1.一种NOR型存储器件，包括：

NOR单元阵列，包括：

第一衬底；

所述第一衬底上的存储单元的阵列，每个所述存储单元包括相对于所述第一衬底竖直延伸的第一栅堆叠以及围绕所述第一栅堆叠的外周的有源区；

电连接到所述第一栅堆叠的第一结合焊盘；以及

电连接到所述存储单元的有源区的第二结合焊盘，以及

外围电路，包括：

第二衬底；

所述第二衬底上的外围电路元件；以及

第三结合焊盘，至少一部分所述第三结合焊盘电连接到所述外围电路元件，

其中，所述NOR单元阵列和所述外围电路被设置为使得所述第一结合焊盘和所述第二结合焊盘中的至少一些与所述第三结合焊盘中的至少一些彼此相对。

2.根据权利要求1所述的NOR型存储器件，其中，

所述NOR单元阵列还包括所述第一衬底上覆盖所述存储单元的阵列的第一层间绝缘层，其中，所述第一结合焊盘和所述第二结合焊盘在所述第一层间绝缘层的背对所述第一衬底的表面处露出，

所述外围电路还包括所述第二衬底上覆盖所述外围电路元件的第二层间绝缘层，其中，所述第三结合焊盘在所述第二层间绝缘层的背对所述第二衬底的表面处露出，

所述NOR单元阵列和所述外围电路被设置为使得所述第一层间绝缘层的所述表面与所述第二层间绝缘层的所述表面彼此相对。

3.根据权利要求1或2所述的NOR型存储器件，其中，

所述第一衬底包括器件区和接触区，所述存储单元形成在所述器件区中，

所述NOR单元阵列还包括：形成在所述第一衬底的器件区上的第一接触部，其中所述第一结合焊盘通过所述第一接触部电连接到所述第一栅堆叠；形成在所述第一衬底的接触区上的第二接触部，其中所述第二结合焊盘通过所述第二接触部电连接到所述有源区。

4.根据权利要求1或2所述的NOR型存储器件，其中，

所述第一结合焊盘和所述第二结合焊盘中的所述至少一些与所述第三结合焊盘中的所述至少一些通过结合部件彼此连接；或者

所述第一结合焊盘和所述第二结合焊盘中的所述至少一些与所述第三结合焊盘中的所述至少一些直接键合。

5.根据权利要求4所述的NOR型存储器件，其中，所述结合部件包括凸块和/或焊球。

6.根据权利要求1或2所述的NOR型存储器件，其中，所述外围电路还包括延伸穿过所述第二衬底的贯穿硅通孔TSV，所述第三结合焊盘中的一个或多个设置在所述TSV中的相应一个或多个TSV上。

7.根据权利要求3所述的NOR型存储器件，其中，所述有源区包括：

在竖直方向上依次叠置的第一源/漏层、第一沟道层和第二源/漏层，

其中，所述第一源/漏层、所述第一沟道层和所述第二源/漏层从所述器件区延伸至所述接触区，

其中，所述第二接触部包括着落于所述第一源/漏层和所述第二源/漏层的第二接触部。

8.根据权利要求7所述的NOR型存储器件，其中，所述第二接触部还包括着落于所述第一沟道层上的第二接触部。

9.根据权利要求7所述的NOR型存储器件，其中，所述第一源/漏层、所述第一沟道层和所述第二源/漏层在所述接触区中形成阶梯结构。

10.根据权利要求7所述的NOR型存储器件，其中，所述有源区还包括：

依次叠置在所述第二源/漏层上的第二沟道层和第三源/漏层，

其中，所述第二沟道层和所述第三源/漏层从所述器件区延伸至所述接触区，

其中，所述第二接触部包括着落于所述第三源/漏层上的第二接触部。

11.根据权利要求10所述的NOR型存储器件，其中，所述第二接触部还包括着落于所述第二沟道层上的第二接触部。