[发明专利]一种适用于低电压的带隙基准修调电路

说明书

本发明公开了一种适用于低电压的带隙基准修调电路。该电路包括带隙基准修调电路、振荡器电路、电压侦测电路、电荷泵电路和逻辑电路。本发明在采用MOS开关管来控制修调带隙基准电压的基础之上，通过引入振荡器电路、电荷泵电路和电源切换电路等，在输入电源VDD偏低的情况下，提高MOS开关管的控制电压，确保MOS开关管能够充分导通，减小导通电阻对带隙基准修调电路中的电阻影响，有效的解决带隙基准电路在输入供电电源低电压状态下基准电压升高的问题，提高带隙基准电路在全电压输入下的基准电压的一致性。

技术领域

本发明涉及锂电池电源管理技术领域，具体涉及一种适用于低电压的带隙基准修调电路。

背景技术

现有技术的直接用低阻抗poly或Metal Al fuse电阻连接可修调的电阻串联结构。在基准电压修调时，只能单向从最低电压开始往高电压方向修调基准电压。在测试开始时就必须先烧写修调基准电压值到目标值，才能得到比较合理的基准电压值，不然与基准相关的电路可能存在初始基准电压过低，导致测试与基准电压有联系的其他功能或电参数时存在测试功能或电参数异常，无法在烧写前先判断系统功能是否正常。同时存在Fuse烧写电阻烧写后还存在不确定的阻抗，会因为后续的封装由于外界条件的沾污影响已经烧断的电阻值，直接影响基准电压值。不适用于高精度的基准电压电路。

后来出现有技术的改进方案采用MOS开关管的开关来屏蔽或释放基准修调电阻值，并且通过修调逻辑单元，可以设置最大烧写位初始电阻被释放，使基准电压初始值就设定在中心值，解决了直接采用fuse电阻初始短接修调基准电阻存在初始基准值低，修调后的Fuse电阻阻抗不确定影响基准电压值。参见图7，采用MOS晶体管开关替代直接的低阻抗FUSE电阻存在输入电压过低（在1.8V-2.5V内）时，MOS管开启导通电阻增大，影响基准电压值，在带隙基准电路输入低电压工作时会导致基准电压值增大，影响基准电压的一致性。输入低电压应用领域存局限性。在低电压电源输入情况下，不能实现很好的基准电压一致性。

发明内容

本发明的目的是针对现有技术存在的不足，提供一种适用于低电压的带隙基准修调电路。

为实现上述目的，本发明提供了一种适用于低电压的带隙基准修调电路，包括：

带隙基准修调电路，与输入电源VDD连接，用以产生基准电压VREF、分压VBER、控制电压信号VBP和控制电压信号VBN；

振荡器电路，与所述输入电源VDD和带隙基准修调电路分别连接，用以根据基准电压VREF和分压VBER产生一个时钟信号CLK；

电压侦测电路，用以根据输入电源VDD和基准电压VREF对所述输入电源VDD的电压进行侦测，并在所述输入电源VDD的电压低于设定阈值范围时，输出高电平的使能信号EN；

电荷泵电路，与电压侦测电路和振荡器电路分别连接，用以根据所述时钟信号CLK和使能信号EN对输入电源VDD进行升压，并获得升压后的电源VCC；

逻辑电路，与输入电源VDD、电源VCC和带隙基准修调电路分别连接，用以接收所述控制电压信号VBP和控制电压信号VBN，并根据控制电压信号VBP和控制电压信号VBN输出修调信号，当所述输入电源VDD在设定阈值以上时，所述修调信号中的高电平为电源VDD，当所述输入电源VDD的电压低于设定阈值范围时，所述修调信号中的高电平为电源VCC，所述带隙基准修调电路根据所述修调信号调整基准电压值VREF。