[发明专利]掩膜版、阵列基板的制作方法、阵列基板

权利要求书

1.一种掩膜版，用于在光刻工艺中对阵列基板作用，以在所述阵列基板上形成子像素，其特征在于，所述掩膜版上形成有相邻设置的第一曝光区和第二曝光区，所述第一曝光区用于在所述光刻工艺中对应所述阵列基板的数据线和栅极信号线之间围合的像素开口区域设置，所述第二曝光区用于在光刻工艺中对应所述像素开口区域的边缘及所述数据线设置，在相同区域面积上，所述第一曝光区上的透光量大于所述第二曝光区上的透光量。

2.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一曝光区的透光量为100％，所述第二曝光区的透光量为20％～70％，且所述第二曝光区的宽度为3μm～15μm；和/或，

沿所述第一曝光区朝向所述第二曝光区方向上，所述第二曝光区的透光量呈递减设置。

3.如权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述第二曝光区具有在沿所述第一曝光区朝向所述第二曝光区方向上分布的第一曝光段，第二曝光段及第三曝光段，其中：

所述第一曝光段的透光量为50～70％；和/或，

所述第二曝光段的透光量为30～50％；和/或，

所述第三曝光段的透光量为20～40％。

4.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版对应在所述第二曝光区形成有交替间隔设置的多个透光部和多个遮光部。

5.如权利要求4所述的掩膜版，其特征在于，多个所述遮光部和/或多个所述透光部至少部分设置为长条形；或者，

多个所述遮光部和/或多个所述透光部至少部分设置为方形；或者，

所述遮光部和所述透光部均呈长条形设置，且两端均能够延伸至所述第二曝光区宽度方向的两侧，多个所述遮光部和多个所述透光部沿所述第二曝光区长度方向交替间隔设置；或者，

所述遮光部和所述透光部均呈长条形设置，且两端均能够延伸至所述第二曝光区长度方向的两侧，多个所述遮光部和多个所述透光部沿所述第二曝光区宽度方向交替间隔设置；或者，

所述遮光部和所述透光部呈方形设置，多个所述遮光部和多个所述透光部沿所述第二曝光区长度方向和宽度方向上均交替间隔设置。

6.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供基板；

在所述基板上先后形成栅极信号线和数据线；

采用如权利要求1至5任意一项所述的掩膜版，以在所述基板上光刻形成彩色滤光片层，其中，所述彩色滤光片层包括多个子像素。

7.如权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述“在所述基板上先后形成栅极信号线和数据线”的步骤包括：

在所述基板上形成第一金属层；

对所述第一金属层进行处理以形成栅极信号线；

在所述栅极信号线上依次形成无机绝缘层、半导体层及复合掺杂层；

在复合掺杂层上形成第二金属层；

对所述第二金属层进行处理以形成数据线。

8.如权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述“在所述基板上先后形成栅极信号线和数据线”的步骤中所述基板、所述栅极信号线和所述数据线共同构合成基板结构；

所述“在所述基板上先后形成栅极信号线和数据线”的步骤之后还包括：

在所述基板结构上形成第一无机钝化层。

9.如权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述“采用如权利要求1至5任意一项所述的掩膜版，以在所述基板上光刻形成彩色滤光片层”的步骤之后包括：

在所述彩色滤光片层上形成第二无机钝化层或者有机聚合物层；

在所述第二无机钝化层或者有机聚合物层上形成氧化铟锡层，对所述氧化铟锡层进行处理以得到像素电极。

10.一种阵列基板，其特征在于，采用如权利要求6至9任意一项所述的阵列基板的制作方法的方法制作，所述阵列基板包括基板、设于所述基板且沿背离所述基板方向一侧设置的栅极信号线、数据线及彩色滤光片层。