[发明专利]掩膜版、阵列基板的制作方法、阵列基板

说明书

本发明公开一种掩膜版、阵列基板的制作方法、阵列基板，阵列基板上涂布负性光阻剂，形成色阻单元，采用掩膜版对色阻单元进行光刻处理，由于掩膜版上形成有相邻设置的第一曝光区和第二曝光区，由于在相同区域面积上，第一曝光区上的透光量大于第二曝光区上的透光量，使得色阻单元对应第一曝光区接收到的光强大于色阻单元对应第二曝光区接收到的光强，由于对色阻单元进行光刻处理过程所用的光强度越低，光刻处理后得到的子像素对应光强度越低处的厚度越薄，从而使得光刻处理后得到的子像素对应第二曝光区的厚度减薄，使得相邻子像素的边缘区域交叠时，交叠部分搭接至数据线产生的牛角高度减小，提高了液晶显示器的品质。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种掩膜版、阵列基板的制作方法、阵列基板。

背景技术

COA(Color Filter on Array)技术是一种将彩色滤光层直接制作在阵列基板上的一种集成技术，由于数据线宽度较窄，彩色滤光片包括R(红)子像素、G(绿)子像素及B(蓝)子像素，相邻子像素边缘交叠并搭接在数据线位置，其中R(红)、G(绿)、B(蓝)子像素之间交叠而形成的突起称之为牛角。现有技术中，通过COA技术制成的阵列基板中相邻子像素边缘交叠处牛角存在过大的问题，而牛角过大会影响牛角附近液晶层的排列方向，从而导致像素边缘显示亮度与像素中心不一致，影响显示屏品质。

发明内容

本发明的主要目的是提出一种掩膜版、阵列基板的制作方法、阵列基板，旨在降低相邻子像素边缘交叠处牛角高度来提高液晶显示器的品质。

为实现上述目的，本发明提出一种掩膜版，用于在光刻工艺中对阵列基板作用，以在所述阵列基板上形成子像素，所述掩膜版上形成有相邻设置的第一曝光区和第二曝光区，所述第一曝光区用于在所述光刻工艺中对应所述阵列基板的数据线和栅极信号线之间围合的像素开口区域设置，所述第二曝光区用于在光刻工艺中对应所述像素开口区域边缘及所述数据线设置，在相同区域面积上，所述第一曝光区上的透光量大于所述第二曝光区上的透光量。

可选地，所述第一曝光区的透光量为100％，所述第二曝光区的透光量为20％～70％，且所述第二曝光区的宽度为3μm～15μm；和/或，

沿所述第一曝光区朝向所述第二曝光区方向上，所述第二曝光区的透光量呈递减设置。

可选地，所述第二曝光区具有在沿所述第一曝光区朝向所述第二曝光区方向上分布的第一曝光段，第二曝光段及第三曝光段，其中：

所述第一曝光段的透光量为50～70％；和/或，

所述第二曝光段的透光量为30～50％；和/或，

所述第三曝光段的透光量为20～40％。

可选地，所述掩膜版对应在所述第二曝光区形成有交替间隔设置的多个透光部和多个遮光部。

可选地，多个所述遮光部和/或多个所述透光部至少部分设置为长条形；或者，

多个所述遮光部和/或多个所述透光部至少部分设置为方形；或者，

所述遮光部和所述透光部均呈长条形设置，且两端均能够延伸至所述第二曝光区宽度方向的两侧，多个所述遮光部和多个所述透光部沿所述第二曝光区长度方向交替间隔设置；或者，

所述遮光部和所述透光部均呈长条形设置，且两端均能够延伸至所述第二曝光区长度方向的两侧，多个所述遮光部和多个所述透光部沿所述第二曝光区宽度方向交替间隔设置；或者，

所述遮光部和所述透光部呈方形设置，多个所述遮光部和多个所述透光部沿所述第二曝光区长度方向和宽度方向上均交替间隔设置。

基于此，本发明还提出一种阵列基板的制作方法，包括以下步骤：

提供基板；

在所述基板上先后形成栅极信号线和数据线；