[发明专利]剥离良率高且方便倒膜的LED芯片巨量转移方法

权利要求书

1.一种剥离良率高且方便倒膜的LED芯片巨量转移方法，其特征在于，包括步骤：

S1，提供一侧表面设有粘胶层的第一转移载板、以及制备有LED芯片的生长衬底，所述LED芯片的电极背离所述生长衬底；

S2，将所述生长衬底上的LED芯片朝向所述粘胶层放置，使所述LED芯片与所述粘胶层接触并埋入所述粘胶层预设距离；

S3，将所述LED芯片从所述生长衬底上剥离，并去除所述LED芯片周侧的粘胶、以及所述LED芯片与所述第一转移载板之间的部分粘胶；

S4，提供第二转移载板，将所述第一转移载板上的LED芯片朝向所述第二转移载板放置，将所述LED芯片转移至所述第二转移载板。

2.如权利要求1所述的LED芯片巨量转移方法，其特征在于，在步骤S4之后，还包括步骤：

S5，将所述第二转移载板上的LED芯片朝向目标基板，并使所述LED芯片与所述目标基板固定。

3.如权利要求2所述的LED芯片巨量转移方法，其特征在于，在步骤S5之后，还包括步骤：

S6，将所述LED芯片与所述第二转移载板分离。

4.如权利要求2所述的LED芯片巨量转移方法，其特征在于，所述目标基板为具有焊盘的电路基板，在步骤S5中，所述“使所述LED芯片与所述目标基板固定”为：将所述LED芯片的电极与所述目标基板上的对应焊盘焊接固定。

5.如权利要求1所述的LED芯片巨量转移方法，其特征在于，在步骤S3中，“去除所述LED芯片与所述第一转移载板之间的部分粘胶”为：去除所述LED芯片与所述第一转移载板之间除了正对所述LED芯片的中间区域以外的位置的粘胶。

6.如权利要求5所述的LED芯片巨量转移方法，其特征在于，所述LED芯片包括凸设在其一表面上的两相对侧的两电极，在步骤S3中，“去除所述LED芯片与所述第一转移载板之间的部分粘胶”为：去除所述LED芯片与所述第一转移载板之间除了正对所述LED芯片的两电极之间的区域以外的位置的粘胶。

7.如权利要求1至6任一项所述的LED芯片巨量转移方法，其特征在于，在步骤S3中，利用激光将所述LED芯片从所述生长衬底上剥离，同时利用激光去除所述LED芯片周侧的粘胶。

8.如权利要求7所述的LED芯片巨量转移方法，其特征在于，在步骤S3中，在将所述LED芯片从所述生长衬底上剥离并去除所述LED芯片周侧的粘胶后，利用等离子体将所述LED芯片与所述第一转移载板之间的所述部分粘胶去除。

9.如权利要求1至6任一项所述的LED芯片巨量转移方法，其特征在于，在步骤S3中，在将所述LED芯片从所述生长衬底上剥离后，利用等离子体将所述LED芯片周侧的粘胶、以及所述LED芯片与所述第一转移载板之间的所述部分粘胶去除。