[发明专利]剥离良率高且方便倒膜的LED芯片巨量转移方法

说明书

本发明公开一种剥离良率高且方便倒膜的LED芯片巨量转移方法，本发明在通过激光剥离方式将LED芯片从生长衬底上转移至第一转移载板的过程中，将LED芯片埋入第一转移载板的粘胶层，通过粘胶层保护LED芯片，避免LED芯片与生长衬底剥离时，LED芯片破裂的问题，提高了LED芯片转移良率；在此基础上，在将LED芯片与生长衬底剥离后，进行后续倒膜将LED芯片由第一转移载板上转移至第二转移载板之前，去除LED芯片周侧、以及LED芯片与第一转移载板之间的部分粘胶，只剩下部分粘胶粘接在LED芯片与第一转移载板之间，以此，便于将LED芯片由第一转移载板转移至第二转移载板的过程中将LED芯片与第一转移载板分离。

技术领域

本发明涉及LED芯片转移技术领域，具体涉及一种剥离良率高且方便倒膜的LED芯片巨量转移方法。

背景技术

Mini/Micro LED芯片通常在制作完成之后，会进行巨量转移，具体为将大量(通常为几万至百万千万)Mini/Micro LED芯片精确、有序地转移到电路基板上形成LED阵列。对于一些电极背离生长衬底的Mini/Micro LED芯片，在巨量转移过程中，涉及到二次倒膜工序，这些Mini/Micro LED芯片的巨量转移过程一般包括：采用具有可解粘胶层的一第一转移载板，通过激光剥离方式将 Mini/Micro LED芯片从生长衬底(如蓝宝石衬底)上转移至该第一转移载板；再进行后续倒膜，即是将第一转移载板上的Mini/Micro LED芯片转移至一第二转移载板上；最后再通过该第二转移载板将Mini/Micro LED芯片转移至电路基板。

如图1所示，现有技术中，在通过激光剥离方式将Mini/Micro LED芯片3’从生长衬底4’上转移至第一转移载板2’时，为便于后续倒膜，Mini/Micro LED 芯片3’没有埋入第一转移载板2’的粘胶层1’，而是Mini/Micro LED芯片3’的电极粘贴在粘胶层1’的表面。由于没有粘胶层1’的保护，在剥离生长衬底4’与 Mini/Micro LED芯片3’时，容易导致Mini/Micro LED芯片3’破裂。

因此，有必要提供一种新的LED芯片巨量转移方法，以解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种剥离良率高且方便倒膜的LED芯片巨量转移方法。

为实现上述目的，本发明提供了一种剥离良率高且方便倒膜的LED芯片巨量转移方法，包括步骤：

S1，提供一侧表面设有粘胶层的第一转移载板、以及制备有LED芯片的生长衬底，所述LED芯片的电极背离所述生长衬底；

S2，将所述生长衬底上的LED芯片朝向所述粘胶层放置，使所述LED芯片与所述粘胶层接触并埋入所述粘胶层预设距离；

S3，将所述LED芯片从所述生长衬底上剥离，并去除所述LED芯片周侧的粘胶、以及所述LED芯片与所述第一转移载板之间的部分粘胶；

S4，提供第二转移载板，将所述第一转移载板上的LED芯片朝向所述第二转移载板放置，将所述LED芯片转移至所述第二转移载板；

与现有技术相比，本发明将LED芯片埋入第一转移载板的粘胶层，在通过激光剥离方式将LED芯片从生长衬底上转移至第一转移载板时，粘胶层可以保护LED芯片，避免LED芯片与生长衬底剥离时，LED芯片破裂的问题，提高了LED芯片转移良率；在此基础上，在将LED芯片与生长衬底剥离后，进行后续倒膜之前，去除LED芯片周侧、以及LED芯片与第一转移载板之间的部分粘胶，只剩下部分粘胶粘接在LED芯片与第一转移载板之间，以此，便于将LED芯片由第一转移载板转移至第二转移载板的过程中(倒膜)，将LED芯片与第一转移载板分离。

具体地，在步骤S4之后，还包括步骤：S5，将所述第二转移载板上的LED 芯片朝向目标基板，并使所述LED芯片与所述目标基板固定。