[发明专利]芯片转移结构及Micro LED显示模块返修方法

权利要求书

1.一种适用于Micro LED显示模块返修的芯片转移结构，所述Micro LED显示模块包括基板和焊接在所述基板上的多个LED芯片，其特征在于，所述芯片转移结构包括：

透明的承载件，所述承载件可被激光穿透，且承载件为圆柱状，直径为10um～100um；以及

粘贴件，所述粘贴件为具有粘性的PDMS膜，所述粘贴件粘附在所述承载件的一端，用于在Micro LED显示模块返修工序中粘住待移除的不良芯片将所述不良芯片从所述基板上移除和/或粘取新LED芯片补至所述基板上。

2.如权利要求1所述的芯片转移结构，其特征在于，所述粘贴件为片状或具有多层结构的阶梯状。

3.如权利要求1所述的芯片转移结构，其特征在于，所述承载件为玻璃材料、石英材料、透明陶瓷材料其中一种。

4.如权利要求1所述的芯片转移结构，其特征在于，所述承载件为实心结构。

5.一种Micro LED显示模块返修方法，所述Micro LED显示模块包括基板和焊接在所述基板上的多个LED芯片，其特征在于，所述Micro LED显示模块返修方法包括：

将所述Micro LED显示模块的基板上的不良芯片移除；

提供承载有新LED芯片的载板，所述载板一侧表面具有粘胶层，所述载板借由所述粘胶层粘附所述新LED芯片，所述粘胶层的粘力小于如权利要求1至4任一项所述芯片转移结构的粘贴件的粘力；

采用所述芯片转移结构对准所述载板上相应的所述新LED芯片，并粘起相应的所述新LED芯片移动至所述不良芯片在所述基板上的所在位置；

采用激光朝所述承载件的延伸方向照射所述承载件，将相应的所述新LED芯片与所述基板焊接在一起；

将所述芯片转移结构与所述新LED芯片分离。

6.如权利要求5所述的Micro LED显示模块返修方法，其特征在于，所述“采用激光朝所述承载件的延伸方向照射所述承载件”为：

采用激光从所述承载件粘附有所述粘贴件的一端的相反端照射所述承载件，激光自所述相反端透过所述承载件到达粘附有所述粘贴件的一端。

7.如权利要求5所述的Micro LED显示模块返修方法，其特征在于，在采用激光朝所述承载件的延伸方向照射所述承载件以将所述新LED芯片与所述基板焊接的过程中，通过所述芯片转移结构给所述新LED芯片施以朝向所述基板的压力。

8.如权利要求5所述的Micro LED显示模块返修方法，其特征在于，所述“将所述MicroLED显示模块的基板上的不良芯片移除”包括：

熔化所述不良芯片与所述基板之间的焊料；

利用所述芯片转移结构粘起所述不良芯片。

9.如权利要求5所述的Micro LED显示模块返修方法，其特征在于，在将所述新LED芯片移动至所述不良芯片在所述基板上的所在位置之前，还包括：

采用压头压在所述基板移除所述不良芯片后的残留焊料上，并加热所述残留焊料整平所述残留焊料的焊接面。