[发明专利]一种研磨组合物及其应用

说明书

本发明涉及一种研磨组合物及其应用，所述研磨组合物包括复合磨粒和研磨液；所述复合磨粒包括氧化物研磨料、碳化物磨粒和金刚石磨粒；所述氧化物磨粒的粒度为3‑5μm；所述碳化物磨粒的粒度为8‑12μm；所述金刚石磨粒的粒度为0.1‑1μm。所述应用包括对钼蒸发料进行研磨处理，包括如下过程：将钼蒸发料采用所述复合研磨组合物进行第一研磨和第二研磨。通过对研磨中研磨介质即研磨组合物的设计，实现了钼蒸发料表面污物和缺陷的高效去除，同时显著降低了钼蒸发料的损失率，较现有技术中的钼蒸发料损失率(40‑20％)显著降低，本发明中钼蒸发料处理后的损失率为0.05‑0.1％。

技术领域

本发明涉及研磨领域，具体涉及一种研磨组合物及其应用。

背景技术

目前，随着人工智能，5G技术、消费类电子产品等终端应用市场的快速发展，半导体芯片的市场规模日益扩大。蒸发料是真空镀膜过程中的基本耗材，不仅使用量大，而且蒸发料的纯度以及表面质量直接影响薄膜的性能。

钼具有良好的导电性、较高的导热率和低的热膨胀系数，与硅的热膨胀系数匹配良好，可用作各种电子元器件包括陶瓷基片的镀膜，沉积多片模件和硅元件的金属化。

目前对于金属蒸发料的表面处理方法有酸洗、离心研磨、洗涤剂清洗等。如CN111394697A提供了一种金属蒸发料表面处理的方法，所述方法通过对金属蒸发料依次进行超声波清洗、酸洗，可有效地去除表面的杂质。但是这种方法对于金属蒸发料钼并不完全适用，酸洗后的表面极易氧化，表面也易受到酸液的蚀刻，造成其合格率下降。

CN108987273A公开了一种银蒸发料的表面处理方法，所述方法为将银蒸发料进行离心研磨、清洗、干燥处理。离心研磨操作可去除所述蒸发料表面的氧化层，达到抛光的效果。但是这种物理清洗的方式只能去除表面氧化层，部分污垢会在研磨过程中更牢固的粘连在蒸发料的加工痕迹中，同时这种方式会造成大量的蒸发料的损耗，不利于产业化生产。

然而目前的钼蒸发料由于纯度不高，洁净度较差，杂质元素含量较高，产品表面经常会有切割痕迹、毛刺、裂纹、油污、锈蚀和杂质附着物等缺陷，导致采用现有技术的处理过程无法实现良好的处理，同时钼蒸发料的损失率较高。

发明内容

鉴于现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种研磨组合物及其应用，通过对研磨中研磨介质即研磨组合物的设计，实现了钼蒸发料表面污物和缺陷的高效去除，同时显著降低了钼蒸发料的损失率，较现有技术中的钼蒸发料损失率(40-20％)显著降低，本发明中钼蒸发料处理后的损失率为0.05-0.1％。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

第一方面，本发明提供了一种研磨组合物，所述研磨组合物包括复合磨粒和研磨液；

所述复合磨粒包括氧化物研磨料、碳化物磨粒和金刚石磨粒；

所述氧化物磨粒的粒度为3-5μm；

所述碳化物磨粒的粒度为8-12μm；

所述金刚石磨粒的粒度为0.1-1μm。

本发明提供的研磨组合物，通过对研磨组合物的合理设计，使得其对钼蒸发料的表面处理具有良好的效果，能够显著降低钼蒸发料在处理过程中的损失，损失率仅为0.05-0.1％，较现有技术缩减了约200倍左右，显著提升了钼蒸发料的利用率。

本发明中，所述氧化物磨粒的粒度为3-5μm，例如可以是3μm、3.1μm、3.2μm、3.3μm、3.4μm、3.5μm、3.6μm、3.7μm、3.8μm、3.9μm、4μm、4.1μm、4.2μm、4.3μm、4.4μm、4.5μm、4.6μm、4.7μm、4.8μm、4.9μm或5μm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的组合同样适用。