[发明专利]功率半导体元件及其形成方法

权利要求书

1.一种功率半导体元件，包括：

基板；

叠层，位于该基板上，其中该叠层依序包括III-V族半导体缓冲结构、III-V族半导体沟道结构、和III-V族半导体阻障结构；

第一电极，位于该叠层上，并与该叠层之间形成欧姆接触；

第二电极，位于该叠层上，并与该叠层之间形成萧特基接触；以及

V族元素供应层，位于该第二电极下，且覆盖该III-V族半导体阻障结构及/或该III-V族半导体沟道结构的部分表面。

2.如权利要求1所述的功率半导体元件，其中该V族元素供应层包括金属氮化物。

3.如权利要求1所述的功率半导体元件，其中该V族元素供应层具有介于约和之间的厚度。

4.如权利要求1所述的功率半导体元件，其中该V族元素供应层的V族元素与该III-V族半导体阻障结构的III族元素形成化学键结。

5.如权利要求1所述的功率半导体元件，还包括介电层位于该叠层上方，其中该介电层具有开口，暴露出该III-V族半导体阻障结构的部分上表面，该V族元素供应层顺应性地设置于该开口的底部与侧壁，且该第二电极填入该开口中。

6.如权利要求1所述的功率半导体元件，还包括介电层位于该叠层上方且具有开口，其中该叠层具有凹槽沿着该开口向下延伸，暴露出该III-V族半导体沟道结构的部分上表面，该V族元素供应层顺应性地设置于该凹槽的底部与侧壁，且该第二电极填入该凹槽中。

7.一种功率半导体元件的形成方法，包括：

提供基板；

形成叠层于该基板上，其中该叠层依序包括III-V族半导体缓冲结构、III-V族半导体沟道结构、和III-V族半导体阻障结构；

形成V族元素供应层于该叠层上，且覆盖该III-V族半导体阻障结构的部分表面；以及

形成第二电极于该V族元素供应层上。

8.如权利要求7所述的功率半导体元件的形成方法，还包括在形成该V族元素供应层前，在该叠层上沉积介电层，并在该介电层上蚀刻开口，以暴露部分该III-V族半导体阻障结构；以及对暴露出的该部分III-V族半导体阻障结构进行一表面处理；其中该V族元素供应层形成经该表面处理后的该部分III-V族半导体阻障结构上。

9.如权利要求7所述的功率半导体元件的形成方法，其中，使该V族元素供应层的该V族元素与该III-V族半导体阻障结构的该III族元素形成化学键结。

10.如权利要求7所述的功率半导体元件的形成方法，还包括：

在形成该V族元素供应层前，沉积介电层于该叠层上；

蚀刻凹槽穿过该III-V族半导体阻障结构，且暴露该III-V族半导体阻障结构之一部分表面及该III-V族半导体沟道结构的部分上表面，其中该凹槽的侧壁及底部分别由该III-V族半导体阻障结构的该部分表面及该III-V族半导体沟道结构的该部分上表面构成；以及

对该凹槽的该底部与该侧壁进行一表面处理；

其中该V族元素供应层沉积于经该表面处理后的该凹槽的底部与侧壁上。