[发明专利]半导体封装件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

衬底；

第一半导体芯片和第二半导体芯片，其安装在所述衬底上；以及

多个外部端子，其位于所述衬底下方，

其中，所述衬底包括：

核心部分；

第一堆积部分和第二堆积部分，其分别位于所述核心部分的顶表面和底表面上，所述第一堆积部分和所述第二堆积部分中的每一个包括电介质图案和线图案；以及

插入器芯片，其位于所述核心部分中的嵌入区中，并且电连接至所述第一堆积部分和所述第二堆积部分，

其中，所述插入器芯片包括：

基体层；

重新分布层，其位于所述基体层的第一表面上；以及

过孔件，其穿透所述基体层，所述过孔件连接至所述重新分布层，并且在所述基体层的第二表面处被暴露，

其中，所述重新分布层连接至所述第一堆积部分的线图案，并且

其中，所述过孔件连接至所述第二堆积部分的线图案。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述插入器芯片还包括：

保护层，其覆盖所述基体层的第二表面，并且暴露出所述过孔件；以及

焊盘，其位于所述保护层的一个表面上，所述焊盘将所述过孔件连接至所述第二堆积部分的线图案。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中：

所述重新分布层位于所述过孔件上，并且

所述过孔件的顶表面位于与所述基体层的第一表面的水平相同的水平处。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述插入器芯片的重新分布层的顶表面位于与所述核心部分的顶表面的水平相同的水平处。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中：

所述嵌入区具有竖直地穿透所述核心部分的开孔形状，并且

所述插入器芯片与所述嵌入区的内壁间隔开。

6.根据权利要求5所述的半导体封装件，还包括绝缘层，其填充所述插入器芯片与所述嵌入区的内壁之间的间隙，

其中，所述第二堆积部分的线图案穿透所述绝缘层，并且耦接至所述过孔件。

7.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中，所述核心部分包括多个核心导电图案，所述多个核心导电图案与所述嵌入区间隔开，并且将所述第一堆积部分电连接至所述第二堆积部分。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中：

所述核心部分围绕所述插入器芯片，并且接触所述插入器芯片的侧表面，并且

所述核心部分包括贯穿电极，所述贯穿电极竖直地穿透所述核心部分，并且将所述第一堆积部分的线图案直接连接至所述第二堆积部分的线图案。

9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片通过所述第一堆积部分和所述插入器芯片彼此电连接。

10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中：

所述嵌入区位于所述核心部分的上部上，

所述插入器芯片位于所述嵌入区的底表面上，并且

所述第二堆积部分的线图案穿透所述核心部分，并且接触所述插入器芯片的过孔件。

11.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述插入器芯片的底表面位于比所述核心部分的底表面的水平高的水平处。

12.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述插入器芯片的基体层包括硅。

13.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括：

模制层，其位于所述第一堆积部分上，所述模制层覆盖所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片；

重新分布衬底，其位于所述模制层上；以及

连接端子，其穿透所述模制层，并且将所述重新分布衬底连接至所述第一堆积部分。