[发明专利]半导体封装件及其制造方法

说明书

一种半导体封装件和关联的方法，所述封装件包括：衬底；第一半导体芯片和第二半导体芯片，其位于衬底上；以及外部端子，其位于衬底下方，其中，衬底包括：核心部分；第一堆积部分和第二堆积部分，其位于核心部分的顶表面和底表面上，第一堆积部分和第二堆积部分包括电介质图案和线图案；以及插入器芯片，其位于核心部分中的嵌入区中，并且电连接至第一堆积部分和第二堆积部分，插入器芯片包括基体层；重新分布层，其位于基体层上；以及过孔件，其穿透基体层，过孔件连接至重新分布层，并且在基体层的表面处被暴露，重新分布层连接至第一堆积部分的线图案，并且过孔件连接至第二堆积部分的线图案。

相关申请的交叉引用

标题为“半导体封装件及其制造方法”的于2020年8月7日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2020-0099253以引用方式全部并入本文中。

技术领域

实施例涉及一种半导体封装件及其制造方法。

背景技术

随着电子工业的开发，电子产品已日益展现出高性能、高速度和紧凑的尺寸。为了适应这种趋势，已经考虑了其中将多个半导体芯片安装在单个封装件中的封装技术。

可以提供半导体封装件来实施集成电路芯片以有资格在电子产品中使用。

发明内容

可以通过提供半导体封装件来实现实施例，该半导体封装件包括：衬底；第一半导体芯片和第二半导体芯片，其安装在衬底上；以及多个外部端子，其位于衬底下方，其中，衬底包括：核心部分；第一堆积部分和第二堆积部分，其分别位于核心部分的顶表面和底表面上，第一堆积部分和第二堆积部分中的每一个包括电介质图案和线图案；以及插入器芯片，其位于核心部分中的嵌入区中，并且电连接至第一堆积部分和第二堆积部分，其中，插入器芯片包括：基体层；重新分布层，其位于基体层的第一表面上；以及过孔件，其穿透基体层，过孔件连接至重新分布层，并且在基体层的第二表面处被暴露，其中，重新分布层连接至第一堆积部分的线图案，并且其中，过孔件连接至第二堆积部分的线图案。

可以通过提供半导体封装件来实现实施例，所述半导体封装件包括：第一布线层；第二布线层，其位于第一布线层上；插入器芯片，其位于第一布线层与第二布线层之间；绝缘层，其位于第一布线层与第二布线层之间，绝缘层围绕插入器芯片；导电元件，其位于第一布线层与第二布线层之间，导电元件与插入器芯片间隔开，并且将第一布线层连接至第二布线层；第一半导体芯片和第二半导体芯片，其安装在第二布线层上；模制层，其位于第二布线层上，模制层覆盖第一半导体芯片和第二半导体芯片；以及多个外部端子，其位于第一布线层下方，其中，插入器芯片包括：基体层；重新分布层，其位于基体层上，并且耦接至第二布线层；以及过孔件，其位于基体层中，过孔件将重新分布层连接至第一布线层，并且其中，第一半导体芯片和第二半导体芯片通过插入器芯片彼此电连接。

可以通过提供制造半导体封装件的方法来实现实施例，所述方法包括：形成插入器芯片，插入器芯片包括基体层、基体层的第一表面上的重新分布层和穿透基体层的过孔件，过孔件连接至重新分布层，并且在基体层的第二表面上被暴露；将插入器芯片提供到核心部分中，核心部分包括导电元件；在核心部分的顶表面和基体层的第一表面上形成第一堆积部分，第一堆积部分连接至导电元件和重新分布层；在核心部分的底表面和基体层的第二表面上形成第二堆积部分，第二堆积部分连接至导电元件和过孔件；在第一堆积部分上安装多个半导体芯片；以及在第一堆积部分上形成覆盖多个半导体芯片的模制层，其中，多个半导体芯片通过第一堆积部分和插入器芯片彼此电连接。

附图说明

通过参照附图详细地描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员而言将变得显而易见，在附图中：

图1是根据一些示例实施例的半导体封装件的截面图。

图2是示出图1的部分A的放大图。

图3至图5是根据一些示例实施例的半导体封装件的截面图。