[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括：

在包含一半导体材料的一鳍片结构的一上方表面与多个侧边表面上方，形成一第一介电层；

在设置于上述鳍片结构的上述上方表面上方的上述第一介电层的一第一部分上方，形成一遮罩层，其中上述遮罩层与上述第一介电层具有不同的材料组成；

蚀刻设置于上述鳍片结构的上述侧边表面上的上述第一介电层的多个第二部分，其中上述遮罩层保护上述第一介电层的上述第一部分免受蚀刻；

在上述蚀刻之后，于上述遮罩层上方以及上述鳍片结构的上述侧边表面上方形成一第二介电层；以及

在上述第二介电层已被形成之后，执行一氧化制程以将上述遮罩层转换为一介电材料，上述介电材料具有与上述第一介电层或上述第二介电层实质上相同的材料组成，其中上述介电材料与上述第一介电层以及上述第二介电层的多个剩余部分共同作为一晶体管的一栅极介电质。