[发明专利]一种倒装LED及其制作方法

权利要求书

1.一种倒装LED，其特征在于，所述倒装LED包括：

衬底；

设置在所述衬底一侧的外延层结构；

设置在所述外延层结构背离所述衬底一侧的第一电极层；

设置在所述第一电极层背离所述衬底一侧的第一DBR层，所述第一DBR层上设置有多个第一通孔，所述第一通孔用于暴露出所述第一电极层；

设置在所述第一DBR层背离所述衬底一侧的第二电极层，所述第二电极层通过所述第一通孔与所述第一电极层接触，所述第二电极层上设置有多个第二通孔，所述第二通孔用于暴露出所述第一DBR层；

设置在所述第二电极层背离所述衬底一侧的第二DBR层，所述第二DBR层通过所述第二通孔与所述第一DBR层接触。

2.根据权利要求1所述的倒装LED，其特征在于，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述第一通孔的正投影与所述第二通孔的正投影不交叠。

3.根据权利要求1所述的倒装LED，其特征在于，所述第一DBR层和所述第二DBR层的材料相同。

4.根据权利要求1所述的倒装LED，其特征在于，所述第一DBR层的厚度为2um-5um；

所述第二DBR层的厚度为2um-5um。

5.根据权利要求1所述的倒装LED，其特征在于，所述倒装LED还包括：

设置在所述第二DBR层背离所述衬底一侧的PAD层；所述PAD层与所述第二电极层接触。

6.根据权利要求1所述的倒装LED，其特征在于，所述外延层结构包括：

依次设置在所述衬底上的N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层；

所述外延层结构还包括：

贯穿所述P型半导体层和所述多量子阱层的凹槽，所述凹槽用于暴露出所述N型半导体层；

其中，所述第一电极层部分设置在所述N型半导体层上，部分设置在所述P型半导体层上。

7.根据权利要求6所述的倒装LED，其特征在于，所述倒装LED还包括：

依次设置在所述P型半导体层和所述第一电极层之间的电流阻挡层和电流扩散层；

其中，所述电流阻挡层紧邻所述P型半导体层设置。

8.根据权利要求7所述的倒装LED，其特征在于，所述电流阻挡层的厚度为2000埃-5000埃。

9.根据权利要求7所述的倒装LED，其特征在于，所述电流扩散层的厚度为200埃-2000埃。

10.一种倒装LED的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底的一侧形成外延层结构；

在所述外延层结构背离所述衬底的一侧形成第一电极层；

在所述第一电极层背离所述衬底的一侧形成第一DBR层，所述第一DBR层上设置有多个第一通孔，所述第一通孔用于暴露出所述第一电极层；

在所述第一DBR层背离所述衬底的一侧形成第二电极层，所述第二电极层通过所述第一通孔与所述第一电极层接触，所述第二电极层上设置有多个第二通孔，所述第二通孔用于暴露出所述第一DBR层；

在所述第二电极层背离所述衬底的一侧形成第二DBR层，所述第二DBR层通过所述第二通孔与所述第一DBR层接触。