[发明专利]一种倒装LED及其制作方法

说明书

本发明提供了一种倒装LED及其制作方法，包括：衬底；设置在衬底一侧的外延层结构；设置在外延层结构背离衬底一侧的第一电极层；设置在第一电极层背离衬底一侧的第一DBR层，第一DBR层上设置有多个第一通孔，第一通孔用于暴露出第一电极层；设置在第一DBR层背离衬底一侧的第二电极层，第二电极层通过第一通孔与第一电极层接触，第二电极层上设置有多个第二通孔，第二通孔用于暴露出第一DBR层；设置在第二电极层背离衬底一侧的第二DBR层，第二DBR层通过第二通孔与第一DBR层接触。该倒装LED通过两层DBR层的结构，填补了第一DBR层中第一通孔的反射率，以此提高倒装LED的亮度。

技术领域

本发明涉及LED技术领域，更具体地说，尤其涉及一种倒装LED及其制作方法。

背景技术

随着科学技术的不断发展，LED(Light Emitting Diode，发光二极管)作为新型的发光器件，与传统的发光器件相比，LED具有节能、环保、显色性与响应速度好等优点被广泛应用于人们的生活和工作中，为人们的日常生活带来了极大的便利。

基于倒装LED而言，其因具有较高的亮度、高的光提取效率、封装低热阻、无断金线风险以及侧壁钝化层保护等优点，被广泛应用于照明、闪光灯和背光等领域。

但是，目前倒装LED仍然存在亮度损失的问题；那么，如何提供一种高亮度的倒装LED，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，为解决上述问题，本发明提供一种倒装LED及其制作方法，技术方案如下：

一种倒装LED，所述倒装LED包括：

衬底；

设置在所述衬底一侧的外延层结构；

设置在所述外延层结构背离所述衬底一侧的第一电极层；

设置在所述第一电极层背离所述衬底一侧的第一DBR层，所述第一DBR层上设置有多个第一通孔，所述第一通孔用于暴露出所述第一电极层；

设置在所述第一DBR层背离所述衬底一侧的第二电极层，所述第二电极层通过所述第一通孔与所述第一电极层接触，所述第二电极层上设置有多个第二通孔，所述第二通孔用于暴露出所述第一DBR层；

设置在所述第二电极层背离所述衬底一侧的第二DBR层，所述第二DBR层通过所述第二通孔与所述第一DBR层接触。

优选的，在上述倒装LED中，在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述第一通孔的正投影与所述第二通孔的正投影不交叠。

优选的，在上述倒装LED中，所述第一DBR层和所述第二DBR层的材料相同。

优选的，在上述倒装LED中，所述第一DBR层的厚度为2um-5um；

所述第二DBR层的厚度为2um-5um。

优选的，在上述倒装LED中，所述倒装LED还包括：

设置在所述第二DBR层背离所述衬底一侧的PAD层；所述PAD层与所述第二电极层接触。

优选的，在上述倒装LED中，所述外延层结构包括：

依次设置在所述衬底上的N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层；

所述外延层结构还包括：

贯穿所述P型半导体层和所述多量子阱层的凹槽，所述凹槽用于暴露出所述N型半导体层；

其中，所述第一电极层部分设置在所述N型半导体层上，部分设置在所述P型半导体层上。

优选的，在上述倒装LED中，所述倒装LED还包括：