[发明专利]阵列基板及显示面板在审
| 申请号： | 202110891996.X | 申请日： | 2021-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN113629076A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 马涛;吴志林;艾飞 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 熊恒定 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底，设置于所述衬底一侧的种晶层，以及设置于所述种晶层一侧且远离所述衬底的第一金属层；
其中，所述第一金属层与所述种晶层直接接触。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层中的晶格结构与所述种晶层的晶格结构相同。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层的晶格常数与所述种晶层的晶格常数之间的差值，与所述第一金属层的晶格常数之间的比例在20％以内。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层的晶格常数与所述种晶层的晶格常数相同。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层和所述种晶层的晶格结构为体心立方晶格，所述晶格常数为3.14pm。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述种晶层的厚度范围为50至1000埃，所述种晶层的材料为钨、铌、钽、钨钼化合物、铝钼化合物或钛钼化合物中的至少一者。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述种晶层中晶粒的分布密度大于所述第一金属层中晶粒的分布密度。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，靠近所述种晶层的所述第一金属层的晶粒尺寸大于远离所述种晶层的所述第一金属层的晶粒尺寸。
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于所述第一金属层上的第二金属层，制作所述第二金属层和所述第一金属层的材料相同，所述第二金属层的晶粒尺寸小于所述第一金属层的晶粒尺寸。
10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
