[发明专利]阵列基板及显示面板

说明书

本申请提出了一种阵列基板及显示面板，其中，所述阵列基板包括衬底，设置于所述衬底一侧的种晶层，以及设置于所述种晶层一侧且远离所述衬底的第一金属层，其中，第一金属层与种晶层直接接触，本申请利用与第一金属层直接接触的种晶层诱导第一金属层的金属的结晶，使得第一金属层形成的晶粒较大，晶界较少，对电荷载流子散射更少，降低第一金属层的电阻率。

技术领域

本申请涉及显示领域，特别涉及一种阵列基板及显示面板。

背景技术

液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。LCD有A-Si(非晶硅)薄膜晶体管/LTPS(Low Temperature Poly-Silicon，低温多晶硅)薄膜晶体管对应的两种显示技术，LTPS薄膜晶体管由于具有高迁移率的优点，被广泛用于高规格面板技术。

LTPS薄膜晶体管的显示产品中的第一金属层导线受限于高温制程，如需要600摄氏度左右，目前业界中大多使用钼(Mo)金属。然而Mo金属阻抗较高，不利用高分辨率、高频率中尺寸产品的高充电率的产品需求。

发明内容

本申请提供一种阵列基板及显示面板，可降低第一金属层的电阻率。

为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：

本申请提供了一种阵列基板，包括：衬底，设置于所述衬底一侧的种晶层，以及设置于所述种晶层一侧且远离所述衬底的第一金属层；

其中，所述第一金属层与所述种晶层直接接触。

在本申请的阵列基板中，所述第一金属层中的晶格结构与所述种晶层的晶格结构相同。

在本申请的阵列基板中，所述第一金属层的晶格常数与所述种晶层的晶格常数之间的差值，与所述第一金属层的晶格常数之间的比例在20％以内。

在本申请的阵列基板中，所述第一金属层的晶格常数与所述种晶层的晶格常数相同。

在本申请的阵列基板中，所述第一金属层和所述种晶层的晶格结构为体心立方晶格，所述晶格常数为3.14pm。

在本申请的阵列基板中，所述种晶层的厚度范围为50至1000埃，所述种晶层的材料可以为钨、铌、钽、钨钼化合物、铝钼化合物或钛钼化合物中的至少一者。

在本申请的阵列基板中，所述种晶层中晶粒的分布密度大于所述第一金属层中晶粒的分布密度。

在本申请的阵列基板中，靠近所述种晶层的所述第一金属层的晶粒尺寸大于远离所述种晶层的所述第一金属层的晶粒尺寸。

在本申请的阵列基板中，所述阵列基板还包括位于所述第一金属层上的第二金属层，制作所述第二金属层和所述第一金属层的材料相同，所述第二金属层的晶粒尺寸小于所述第一金属层的晶粒尺寸。

本申请实施例还提供一种显示面板，所述显示面板包括上述任一实施例所述的阵列基板。

有益效果：本申请提出了阵列基板及显示面板，其中，所述阵列基板包括衬底，设置于所述衬底一侧的种晶层，以及设置于所述种晶层一侧且远离所述衬底的第一金属层，其中，第一金属层与种晶层直接接触，本申请利用与第一金属层直接接触的种晶层诱导第一金属层的金属的结晶，使得第一金属层形成的晶粒较大，晶界较少，对电荷载流子散射更少，降低第一金属层的电阻率，本申请实施例在不增加光罩的前提下，降低第一金属层的电阻率。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为现有技术中阵列基板的结构示意图；