[发明专利]半导体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

在基础层上形成绝缘结构，所述绝缘结构内设有多个间隔设置的第一容纳槽，多个所述第一容纳槽之间设有空气槽，且所述空气槽与所述第一容纳槽间隔设置；

形成覆盖所述绝缘结构、所述第一容纳槽的侧壁和槽底的第一支撑层，所述第一支撑层将所述空气槽封闭，所述第一容纳槽内的所述第一支撑层围合成第二容纳槽；

沿所述第二容纳槽刻蚀所述第二容纳槽的槽底，以使所述第二容纳槽暴露所述基础层；

在所述第二容纳槽内形成导线，所述导线填充在所述第二容纳槽中且与所述基础层相接触。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述空气槽贯穿所述绝缘结构。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述空气槽的宽度为3-5nm。

4.根据权利要求1-3任一项所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述绝缘结构包括第一介质层，所述第一介质层设有多个间隔设置的所述空气槽，多个所述第一容纳槽贯穿所述第一介质层，且每个所述第一容纳槽位于相邻的两个所述空气槽之间。

5.根据权利要求1-3任一项所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述绝缘结构包括第一介质层和覆盖所述第一介质层的第二支撑层，所述第一介质层和所述第二支撑层的材质均为绝缘材料。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在基础层上形成绝缘结构，所述绝缘结构内设有多个间隔设置的第一容纳槽，所述第一容纳槽贯穿所述绝缘结构，多个所述第一容纳槽之间设有空气槽，且所述空气槽与所述第一容纳槽间隔设置的步骤包括：

在所述基础层上形成第一介质层，所述第一介质层设有多个间隔设置的第一容纳孔，所述第一容纳孔贯穿所述第一介质层；

在所述第一介质层上、以及所述第一容纳孔的孔壁和孔底形成第二支撑层，所述第一容纳孔内的所述第二支撑层围合成所述第一容纳槽；

形成贯穿所述第二支撑层且延伸至所述第一介质层的空气槽，所述空气槽与所述第一容纳槽间隔设置。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在所述基础层上形成第一介质层，所述第一介质层设有多个间隔设置的第一容纳孔，所述第一容纳孔贯穿所述第一介质层的步骤包括：

在所述基础层上依次沉积所述第一介质层、硬掩模板层、防反射层和第一光刻胶层；

以所述第一光刻胶层为掩膜，刻蚀所述硬掩模板层和所述防反射层；

以刻蚀后的所述硬掩模板层为掩膜，刻蚀所述第一介质层，以形成所述第一容纳孔。

8.根据权利要求6所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成贯穿所述第二支撑层且延伸至所述第一介质层的空气槽，所述空气槽与所述第一容纳槽间隔设置的步骤包括：

在所述第二支撑层上和所述第一容纳槽内形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层填充满所述第一容纳槽且覆盖所述第二支撑层；

以所述第二光刻胶层为掩膜，刻蚀所述第二支撑层和所述第一介质层，以形成所述空气槽；

去除所述第二光刻胶层。

9.根据权利要求6所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，沿所述第二容纳槽刻蚀所述第二容纳槽的槽底，以使所述第二容纳槽暴露所述基础层的步骤包括：

沿所述第二容纳槽刻蚀所述第二支撑层和所述第一支撑层，所述第二容纳槽贯穿所述第一支撑层和所述第二支撑层。

10.根据权利要求9所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，沿所述第二容纳槽刻蚀所述第二支撑层和所述第一支撑层，所述第二容纳槽贯穿所述第一支撑层和所述第二支撑层的步骤包括：

在所述第一支撑层上形成第三光刻胶层，所述第三光刻胶层覆盖所述第一支撑层顶表面；

以所述第三光刻胶层为掩膜，刻蚀所述第二支撑层和所述第一支撑层，以去除位于所述第二容纳槽内的所述第二支撑层和所述第一支撑层；

去除所述第三光刻胶层。