[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

具有多个沟槽的衬底；

绝缘图案，覆盖所述多个沟槽的底表面和所述多个沟槽的内侧表面；以及

由所述多个沟槽限定的有源图案，

其中所述有源图案在第一方向上彼此间隔开并且彼此平行，所述第一方向平行于所述衬底的顶表面，以及

所述有源图案的相对最顶端中的至少一个具有阶梯式部分。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中从所述有源图案的最顶表面到所述多个沟槽的所述底表面的距离大于从所述阶梯式部分的底部台阶到所述多个沟槽的所述底表面的距离。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述阶梯式部分具有与每个有源图案的侧表面相比朝向每个有源图案的内部凹进或凹入的形状。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述多个沟槽包括第一沟槽和第二沟槽，以及

所述第二沟槽的底表面在所述第一方向上的宽度大于所述第一沟槽的底表面在所述第一方向上的宽度。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中

所述绝缘图案包括下氧化物层和氮化物层，

所述下氧化物层填充所述第一沟槽，以及

所述下氧化物层共形地覆盖所述第二沟槽的底表面和所述第二沟槽的内侧表面。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述氮化物层填充所述第二沟槽的剩余部分。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中

所述绝缘图案进一步包括上氧化物层，以及

所述上氧化物层覆盖所述下氧化物层的顶表面，覆盖所述氮化物层，并覆盖所述有源图案。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中

所述上氧化物层包括与所述下氧化物层相同的材料，以及

所述氮化物层包括与所述下氧化物层不同并且与所述上氧化物层不同的材料。

9.一种半导体器件，包括:

具有多个沟槽的衬底，所述多个沟槽包括具有彼此不同的宽度的第一沟槽和第二沟槽；

由所述多个沟槽限定的有源图案；

覆盖所述第一沟槽和所述第二沟槽中的每个的内表面的氧化物层；以及

填充所述第二沟槽的氮化物层，

其中所述有源图案的相对最顶端中的至少一个具有阶梯式部分，

所述氧化物层插置在所述第二沟槽的内侧表面和所述氮化物层的侧表面之间，以及

所述氧化物层插置在所述第二沟槽的底表面和所述氮化物层的底表面之间。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中

所述有源图案彼此平行，并且在第一方向上彼此间隔开，所述第一方向平行于所述衬底的顶表面，以及

所述有源图案的最顶表面和所述多个沟槽的底表面之间的距离大于所述阶梯式部分的底部台阶和所述多个沟槽的所述底表面之间的距离。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述第二沟槽的所述底表面在所述第一方向上的宽度大于所述第一沟槽的底表面在所述第一方向上的宽度。

12.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述阶梯式部分具有与每个有源图案的侧表面相比朝向每个有源图案的内部凹进或凹入的形状。