[发明专利]发光芯片外延片及其制作方法、发光芯片

权利要求书

1.一种发光芯片外延片，包括：有源区发光层，其特征在于，所述有源区发光层包括至少一个超晶格，所述超晶格包括：

量子阱子层；

形成于所述量子阱子层上，使所述量子阱子层由压应变转变到张应变的应力转变子层，且所述应力转变子层与所述量子阱子层形成二维电子气；

所述量子阱子层包括In_xGa_1-xN子层；

所述应力转变子层包括形成于所述In_xGa_1-xN子层上的Al_ySc_1-yN子层；

所述In_xGa_1-xN子层中，所述x的取值满足以下条件：

1240＝λ×(3.42-2.65×(1-x)-2.4×x×(1-x))，所述λ为发光波长；

所述Al_ySc_1-yN子层中，所述y大于0，小于1。

2.如权利要求1所述的发光芯片外延片，其特征在于，所述λ大于等于400纳米，小于等于740纳米。

3.如权利要求1-2任一项所述的发光芯片外延片，其特征在于，所述超晶格还包括形成于所述Al_ySc_1-yN子层之上的应力补偿子层。

4.如权利要求3所述的发光芯片外延片，其特征在于，所述应力补偿子层包括Al_zGa_1-zN:Si子层，所述Si的浓度为0cm^-3至1×10¹⁸cm^-3，所述z大于等于0，小于等于0.4。

5.如权利要求4所述的发光芯片外延片，其特征在于，所述超晶格还包括形成于所述Al_ySc_1-yN子层和所述Al_zGa_1-zN:Si子层之间的GaN盖层；

和/或，

所述超晶格还包括形成于所述Al_zGa_1-zN:Si子层上的Al_bGa_1-bN盖层，所述b大于等于0，小于所述z。

6.一种发光芯片，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的发光芯片外延片，所述发光芯片外延片还包括分别形成于所述有源区发光层上、下两侧的第一电流扩展层和第二电流扩展层，所述发光芯片还包括分别与所述第一电流扩展层和第二电流扩展层电连接的第一电极和第二电极。

7.一种如权利要求1-5 任一项所述的发光芯片外延片的制作方法，其特征在于，包括生长有源区发光层，所述生长有源区发光层包括按以下步骤生长至少一个超晶格：

在反应室内生长所述量子阱子层，所述量子阱子层包括In_xGa_1-xN子层；

在所述量子阱子层上生长所述应力转变子层，所述应力转变子层包括Al_ySc_1-yN子层；

所述In_xGa_1-xN子层中，所述x的取值满足以下条件：

1240＝λ×(3.42-2.65×(1-x)-2.4×x×(1-x))，所述λ为发光波长；

所述Al_ySc_1-yN子层中，所述y大于0，小于1。

8.如权利要求7所述的发光芯片外延片的制作方法，其特征在于，所述量子阱子层包括In_xGa_1-xN子层，所述应力转变子层包括Al_ySc_1-yN子层；

所述在所述量子阱子层上生长所述应力转变子层包括：

向所述反应室内注入N源，并按设定比例交替注入Sc源和Al源。