[发明专利]发光芯片外延片及其制作方法、发光芯片

说明书

本发明涉及一种发光芯片外延片及其制作方法、发光芯片，其中，发光芯片外延片的有源区发光层包括至少一个超晶格，超晶格包括：量子阱子层，形成于量子阱子层上，使量子阱子层由压应变转变到张应变的应力转变子层，增大阱宽，改善晶体质量；且该应力转变子层与量子阱子层形成二维电子气，使得局域具有更多的电子，进而使得薄层中的载流子密度显著提高，从而提高辐射复合概率，提高发光效率。

技术领域

本发明涉及发光芯片领域，尤其涉及一种发光芯片外延片及其制作方法、发光芯片。

背景技术

Micro LED(Micro Light-Emitting Diode，微小发光二极管)技术是LED微缩化和矩阵化技术，它是Mini LED的终极发展形态，也是下一代的革命性显示技术。Micro LED芯片的尺寸为1微米至10微米，与OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光半导体)一样能够实现每个像素单独定址，单独驱动发光。Micro LED技术优势在于低功耗，高亮度，超高分辨率与色彩饱和度，相应速度快，寿命长等优点。

虽然Micro LED优势明显，但技术挑战较大。尽管一开始有人认为Mini LED是显示技术朝向Micro LED演进的过渡阶段，但Micro LED存在更大的技术挑战。其中挑战之一在于随着芯片尺寸的减小，其发光效率也对应降低，尤其是绿光LED芯片与红光LED芯片发光效率远低于蓝光LED芯片。

因此，如何提升LED芯片的发光效率是目前亟需解决的问题。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种发光芯片外延片及其制作方法、发光芯片，旨在解决相关技术中，发光芯片出光效率低的问题。

本发明提供一种发光芯片外延片，包括：有源区发光层，其中，所述有源区发光层包括至少一个超晶格，所述超晶格包括：

量子阱子层；

形成于所述量子阱子层上，使所述量子阱子层由压应变转变到张应变的应力转变子层，且所述应力转变子层与所述量子阱子层形成二维电子气。

上述发光芯片外延片，其有源区发光层为超晶格结构，且单个超晶格包括量子阱子层，以及形成于量子阱子层上的应力转变子层，该应力转变子层使量子阱子层由压应变转变到张应变，增大阱宽，改善晶体质量；且该应力转变子层与所述量子阱子层形成二维电子气，使得局域具有更多的电子，进而使得薄层中的载流子密度显著提高，从而提高辐射复合概率，提高发光效率。

基于同样的发明构思，本发明还提供一种发光芯片，包括如上所述的发光芯片外延片，所述发光芯片外延片还包括分别形成于所述有源区发光层上、下两侧的第一电流扩展层和第二电流扩展层，所述发光芯片还包括分别与所述第一电流扩展层和第二电流扩展层电连接的第一电极和第二电极。

上述发光芯片采用了晶体质量更好，出光效率更高的发光芯片外延片，使得发光芯片的出光效率更高。

基于同样的发明构思，本发明还提供一种发光芯片外延片的制作方法，包括生长有源区发光层，所述生长有源区发光层包括按以下步骤生长至少一个超晶格：

在反应室内生长所述量子阱子层；

在所述量子阱子层上生长所述应力转变子层。

上述发光芯片外延片的制作方法，制作过程简单、高效，且制得的发光芯片外延片的有源区发光层为超晶格结构，单个超晶格包括量子阱子层，以及形成于量子阱子层上的应力转变子层，该应力转变子层使量子阱子层由压应变转变到张应变，增大阱宽，改善晶体质量；且该应力转变子层与所述量子阱子层形成二维电子气，使得局域具有更多的电子，进而使得薄层中的载流子密度显著提高，从而提高辐射复合概率，提高发光效率。

附图说明

图1为本发明实施例提供的发光芯片外延片结构示意图；